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Theory of atom diffusion and structural stability of metal/semiconductor interfaces: from inorganic to organic systems

Theory of atom diffusion and structural stability of metal/semiconductor interfaces: from inorganic to organic systems
原子扩散理论和金属/半导体界面的结构稳定性：从无机到有机系统
批准号：
23540361
负责人：
NAKAYAMA Takashi
金额：
$3.33万
依托单位：
Chiba University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2013
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23540361/
关键词：
金属／半導体界面第一原理計算原子拡散混晶化構造安定性界面欠陥金属誘起ギャップ状態有機半導体金属/半導体界面混晶過程有機分子半導体偏析界面層電場下イオン化界面制御化合物化有機分子固体巨大歪環境電場環境金属クラスターシリサイドショットキーバリアイオン結合共有結合

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Atom diffusion and structural stability of metal/inorganic and organic semiconductor interfaces have been studied by using the first-principles quantum mechanical calculations. This project has clarified what causes the atom diffusion, what is the important factor to classify the interface-atom mixing and the compound formation, and how the Schottky barrier changes by the interface defects. Based on these results, we constructed a new theory connecting the stability of interface and the origin of Schottky barrier formation.
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会议论文
How and Why Loop Currents Are Generated in Molecular Bridge Systems: Density-Matrix Calculation of Time Evolution
分子桥系统中如何以及为何产生环路电流：时间演化的密度矩阵计算
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [H. K. Quang, Y. Miyauchi, G. Mizutani, M. D. Charlton, R. Chen,, H. Iizuka]
通讯作者： H. Iizuka
N-doping induced band-gap reduction in III-V semiconductors: First-principles calculations
N 掺杂引起的 III-V 族半导体带隙减小：第一原理计算
DOI： 10.1002/pssc.201000578
发表时间： 2011
期刊： Phys. Status Solidi C
影响因子： --
作者： [Yoichi Ogata, Kosuke Koshida and Goro Mizutani, M. Ishikawa]
通讯作者： M. Ishikawa
First-principles study of metal-atom diffusion in graphene and organic solids : intrinsic difference from inorganic systems
石墨烯和有机固体中金属原子扩散的第一性原理研究：与无机系统的本质区别
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [星島光博, 他, 星島光博, 星島光博, 星島光博, Y.Tomita, Y.Tomita]
通讯作者： Y.Tomita
First-principles theoretical study of optical properties of oxygen-doped II-VI semiconductors
氧掺杂II-VI族半导体光学性质的第一性原理理论研究
DOI： 10.1002/pssc.201300557
发表时间： 2014
期刊： Phys. Status Solidi C
影响因子： --
作者： [M. Ishikawa, T. Nakayama]
通讯作者： T. Nakayama
共 45 条
    Theory of gap states at metal/semiconductor interfaces; annihilation mechanism and deformation in electric fields
    • 批准号：
      20K03815
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      NAKAYAMA Takashi
    • 依托单位：
      Chiba University
    小学校理科における科学法則の構築過程を通した批判的思考力の育成に関する研究
    • 批准号：
      19H00082
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
    • 资助金额：
      $0.22万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      NAKAYAMA Takashi
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Screening of natural medicines with chemokine receptor antagonists for allergy therapy
    • 批准号：
      26461495
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      NAKAYAMA Takashi
    • 依托单位：
      Kindai University
    The role of c-Myb and ABCG2/BCRP in the drug resistance of mature T-cell lymphomas
    • 批准号：
      23591633
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      NAKAYAMA Takashi
    • 依托单位：
      Kinki University
    海外基金