Theory of atom diffusion and structural stability of metal/semiconductor interfaces: from inorganic to organic systems

原子扩散理论和金属/半导体界面的结构稳定性：从无机到有机系统

• 批准号: 23540361
• 负责人: NAKAYAMA Takashi
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23540361/
• 关键词: 金属／半導体界面; 第一原理計算; 原子拡散; 混晶化; 構造安定性; 界面欠陥; 金属誘起ギャップ状態; 有機半導体; 金属/半導体界面; 混晶過程; 有機分子半導体; 偏析界面層; 電場下イオン化; 界面制御; 化合物化; 有機分子固体; 巨大歪環境; 電場環境; 金属クラスター; シリサイド; ショットキーバリア; イオン結合; 共有結合

Atom diffusion and structural stability of metal/inorganic and organic semiconductor interfaces have been studied by using the first-principles quantum mechanical calculations. This project has clarified what causes the atom diffusion, what is the important factor to classify the interface-atom mixing and the compound formation, and how the Schottky barrier changes by the interface defects. Based on these results, we constructed a new theory connecting the stability of interface and the origin of Schottky barrier formation.

利用第一性原理量子力学计算研究了金属/无机和有机半导体界面的原子扩散和结构稳定性。本项目阐明了原子扩散的原因，区分界面原子混合和化合物形成的重要因素是什么，以及界面缺陷如何改变肖特基势垒。基于这些结果，我们建立了一个新的理论，将界面的稳定性与肖特基势垒形成的起源联系起来。

项目成果

N-doping induced band-gap reduction in III-V semiconductors: First-principles calculations

N 掺杂引起的 III-V 族半导体带隙减小：第一原理计算

• DOI: 10.1002/pssc.201000578
• 发表时间: 2011
• 期刊: Phys. Status Solidi C
• 作者: Yoichi Ogata;Kosuke Koshida and Goro Mizutani;M. Ishikawa
• 通讯作者: M. Ishikawa

How and Why Loop Currents Are Generated in Molecular Bridge Systems: Density-Matrix Calculation of Time Evolution

分子桥系统中如何以及为何产生环路电流：时间演化的密度矩阵计算

• 发表时间: 2011
• 作者: H. K. Quang;Y. Miyauchi;G. Mizutani;M. D. Charlton;R. Chen,;H. Iizuka
• 通讯作者: H. Iizuka

First-principles study of metal-atom diffusion in graphene and organic solids : intrinsic difference from inorganic systems

石墨烯和有机固体中金属原子扩散的第一性原理研究：与无机系统的本质区别

• 发表时间: 2011
• 作者: 星島光博;他;星島光博;星島光博;星島光博;Y.Tomita;Y.Tomita
• 通讯作者: Y.Tomita

First-principles theoretical study of optical properties of oxygen-doped II-VI semiconductors

氧掺杂II-VI族半导体光学性质的第一性原理理论研究

• DOI: 10.1002/pssc.201300557
• 发表时间: 2014
• 期刊: Phys. Status Solidi C
• 作者: M. Ishikawa;T. Nakayama
• 通讯作者: T. Nakayama

Quantum Processes of Exciton Dissociation at Semiconductor Heterointerfaces

半导体异质界面激子解离的量子过程

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Nakayama;K. Sato
• 通讯作者: K. Sato