New Schottky-barrier theory responding to interface structures

响应界面结构的新肖特基势垒理论

• 批准号: 20540310
• 负责人: NAKAYAMA Takashi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Chiba University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20540310/
• 关键词: ショットキーバリア; 界面; 第一原理計算; 電荷中性準位; シリサイド; 偏析; ドーピング; 界面欠陷; 強結合モデル; 原子空孔; 格子間原子; 界面構造; 界面偏析; InN界面; オリゴアセン; 拡散; 析出; 界面ボンド混成; 界面ボンド分極; 混晶化

Recent experi ments found unusual behaviors of Schottky barrier, i.e., the energy-level difference between metal and nonmetal materials, which cannot be explained by previous theories. By using quantum mechanical calculations, this project has shown that such behaviors originate from the selective atomic bonding, the formation of compounds, and the segregation of impurities at interfaces, and has constructed a new generalized theory of Schottky barrier.

最近的实验发现肖特基势垒的异常行为，即，金属和非金属材料之间的能级差异，以前的理论无法解释。通过量子力学计算，本项目证明了这种行为源于选择性原子键合、化合物的形成和杂质在界面处的偏析，并构建了一个新的广义肖特基势垒理论。

项目成果

Metal-atom diffusion in organic semiconductors : graphene and oligoacene systems

有机半导体中的金属原子扩散：石墨烯和低聚并苯系统

• 发表时间: 2010
• 作者: 星島光博;他;星島光博;星島光博;星島光博;Y.Tomita;Y.Tomita;Y.Tomita
• 通讯作者: Y.Tomita

Physics of Schottky barrier at metal/high-k-oxide interfaces

金属/高 k 氧化物界面肖特基势垒物理

• 发表时间: 2009
• 作者: Y.Tomita;T.Nakayama;T.Nakayama;T.Nakayama;中山隆史;T. Nakayama;中山隆史
• 通讯作者: 中山隆史

Theory of current-induced friction of nano-linked molecule vibration

纳米链接分子振动的电流诱发摩擦理论

• 发表时间: 2008
• 作者: T.Nakayama;Y.Shigeno
• 通讯作者: Y.Shigeno

Electron carrier generation at edge dislocations in InN films; First-principles study

InN 薄膜中边缘位错处电子载流子的产生；

• 发表时间: 2009
• 期刊: J.Cryst.Growth 311
• 作者: Y.Takei;T.Nakayama
• 通讯作者: T.Nakayama

Photo-absorption spectra of nitrogen-doped InP and GaP : Comparison of direct and indirect band-gap systems

氮掺杂 InP 和 GaP 的光吸收光谱：直接和间接带隙系统的比较

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Ishikawa;T.Nakayama
• 通讯作者: T.Nakayama