Theory of gap states at metal/semiconductor interfaces; annihilation mechanism and deformation in electric fields

金属/半导体界面的能隙态理论;

基本信息

  • 批准号:
    20K03815
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(42)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
強誘電HfO2相の安定性における帯電と歪の複合効果:第一原理計算による検討
充电和应变对铁电 HfO2 相稳定性的综合影响:使用第一性原理计算进行研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新井千慧;白石悠人;洗平昌晃;白石賢二;中山隆史
  • 通讯作者:
    中山隆史
Enhancement of tunneling currents by isoelectronic nitrogen-atom doping at semiconductor pn junctions; comparison of indirect and direct band-gap systems
通过半导体pn结等电子氮原子掺杂增强隧道电流;
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac9fb0
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Cho Sanghun;Nakayama Takashi
  • 通讯作者:
    Nakayama Takashi
Photo-carrier induced composition separation in mixed-halide CsPb(I<sub>x</sub>Br<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub> perovskite semiconductors; first-principles calculation
混合卤化物 CsPb(I<sub>x</sub>Br<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub> 钙钛矿半导体中光载流子诱导成分分离;
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/acc6b3
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Tomita Ami;Nakayama Takashi
  • 通讯作者:
    Nakayama Takashi
New types of resonant tunneling currents at Si-p/n junctions: one-dimensional model calculation
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abf782
  • 发表时间:
    2021-05-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Cho, Sanghun;Nakayama, Takashi
  • 通讯作者:
    Nakayama, Takashi
Charging-induced Stabilization of Ferroelectric Orthorhombic HfO2 Phase: Key Growth Processes based on First-principles Study
铁电正交 HfO2 相的充电诱导稳定:基于第一性原理研究的关键生长过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Nakayama;K.Arai;Y.Shiraishi;R.Nagasawa;M.Araidai;K.Shiraishi
  • 通讯作者:
    K.Shiraishi
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A CC3 variant of lymphotactin/XCL1 (XCL1-CC3) functions as a potent adjuvant to accumulate CD103+XCR1+ cross-presenting dendritic cells and induce antigen-specific CD8+ T cell responses
淋巴趋化素/XCL1 (XCL1-CC3) 的 CC3 变体可作为有效佐剂积聚 CD103 XCR1 交叉呈递树突状细胞并诱导抗原特异性 CD8 T 细胞应答
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    YAMAMOTO Shinya;MATSUO Kazuhiko;YOSHIE Osamu;NAKAYAMA Takashi
  • 通讯作者:
    NAKAYAMA Takashi

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  • 批准号:
    17500214
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    2005
  • 资助金额:
    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    13640319
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    10640298
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    1998
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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分光的手法を用いた準結晶・近似結晶における擬ギャップの定量評価
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  • 批准号:
    21K04633
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    2021
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    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    20K04701
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    19K22135
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Edge engineering of atomic-layer semiconductors
原子层半导体的边缘工程
  • 批准号:
    19H02561
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    18K03444
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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知道了