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Theory of gap states at metal/semiconductor interfaces; annihilation mechanism and deformation in electric fields
金属/半导体界面的能隙态理论；
基本信息
- 批准号：20K03815
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（42）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
強誘電HfO2相の安定性における帯電と歪の複合効果：第一原理計算による検討
充电和应变对铁电 HfO2 相稳定性的综合影响：使用第一性原理计算进行研究
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：新井千慧;白石悠人;洗平昌晃;白石賢二;中山隆史
- 通讯作者：中山隆史
Photo-carrier induced composition separation in mixed-halide CsPb(I<sub>x</sub>Br<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub> perovskite semiconductors; first-principles calculation
混合卤化物 CsPb(I<sub>x</sub>Br<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub> 钙钛矿半导体中光载流子诱导成分分离；
- DOI：10.35848/1882-0786/acc6b3
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Tomita Ami;Nakayama Takashi
- 通讯作者：Nakayama Takashi
Enhancement of tunneling currents by isoelectronic nitrogen-atom doping at semiconductor pn junctions; comparison of indirect and direct band-gap systems
通过半导体pn结等电子氮原子掺杂增强隧道电流；
- DOI：10.35848/1347-4065/ac9fb0
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Cho Sanghun;Nakayama Takashi
- 通讯作者：Nakayama Takashi
New types of resonant tunneling currents at Si-p/n junctions: one-dimensional model calculation
- DOI：10.35848/1347-4065/abf782
- 发表时间：2021-05-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Cho, Sanghun;Nakayama, Takashi
- 通讯作者：Nakayama, Takashi
酸素空孔の帯電が誘起する金属酸化物の構造変化：第一原理計算による検討
氧空位充电引起的金属氧化物的结构变化：使用第一原理计算的研究
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：新井千慧;中山隆史
- 通讯作者：中山隆史
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NAKAYAMA Takashi其他文献
A CC3 variant of lymphotactin/XCL1 (XCL1-CC3) functions as a potent adjuvant to accumulate CD103+XCR1+ cross-presenting dendritic cells and induce antigen-specific CD8+ T cell responses
淋巴趋化素/XCL1 (XCL1-CC3) 的 CC3 变体可作为有效佐剂积聚 CD103 XCR1 交叉呈递树突状细胞并诱导抗原特异性 CD8 T 细胞应答
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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NAKAYAMA Takashi
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17500214 - 财政年份：2005
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$ 2.75万 - 项目类别：
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$ 2.75万 - 项目类别：
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