Development of evaluation method of crystallinity in poly-crystallized silicon thin film for bottom gate type TFT by surface photo-voltage

底栅型TFT用多晶硅薄膜的结晶度表面光电压评价方法的开发

• 批准号: 23560372
• 负责人: IKEDA Masanori
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Nihon University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560372/
• 关键词: 表面光電圧; 多結晶シリコン薄膜; 薄膜トランジスタ; 結晶性評価; 多結晶Si薄膜; TFT

Evaluation method of crystallinity in poly-crystallized silicon thin film was investigated by alternative surface photo-voltage (AC SPV). Sensitive AC SPV measurement was achieved by the change of light source for carrier excitation from light-emitting diode (LED) to laser diode (LD). The ratio of AC SPV to radius of grain in poly-silicon thin film crystallized by excimer laser annealing was estimated about 1 mV/nm. Furthermore, it was shown that there is a problem of the saturation in AC SPV with high power light irradiation.

研究了用交流表面光电压（AC SPV）评价多晶硅薄膜结晶度的方法。 通过将载流子激发光源由发光二极管（LED）改为半导体激光器（LD），实现了高灵敏度的交流SPV测量。 用准分子激光退火的方法结晶的多晶硅薄膜的AC SPV与晶粒半径之比约为1 mV/nm。此外，还发现交流SPV在高功率光照射下存在饱和问题。

项目成果

表面光電圧法による熱処理したアモルファスSi薄膜の結晶性評価

采用表面光电压法评价热处理非晶硅薄膜的结晶度

• 发表时间: 2013
• 作者: 葛生一馬;池田正則;清水博文;高松弘行;迫田尚和
• 通讯作者: 迫田尚和

表面光電圧法による熱処理したa-Si薄膜の結晶性評価

采用表面光电压法评价热处理非晶硅薄膜的结晶度

• 发表时间: 2013
• 作者: 葛生一馬;池田正則;清水博文;高松弘行;迫田尚和
• 通讯作者: 迫田尚和

Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成

浸没在 Au 水溶液中形成 Au/n-Si(100) 肖特基势垒

• 发表时间: 2012
• 期刊: 表面科学
• 作者: 池田正則;清水博文
• 通讯作者: 清水博文

Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers

热氧化铬污染 n 型硅片中的交流表面光电压

• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics A
• 作者: H. Shimizu;S. Nagase;and M. Ikeda
• 通讯作者: and M. Ikeda

ω-SPV法によるSiウェーハの少数キャリア寿命評価

使用 ω-SPV 方法评估硅片少数载流子寿命

• 作者: H. Goto;Y. Tsuji;T. Yasui;and K. Hirayama;板野純希，清水博文，池田正則
• 通讯作者: 板野純希，清水博文，池田正則