HFETs auf der Basis von InGaN/InN-Heterostrukturen für Hochfrequenzanwendungen

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Im Rahmen des beantragten Projektes sollen die Möglichkeiten des künftigen Einsatzes des Systems InGaN/InN für Bauelemente der Hochfrequenztechnik verifiziert werden. Aufbauend auf einer gezielten Prozeßoptimierung zur Herstellung hochwertiger InN-Schichten und der ternären Verbindungen, wird eine experimentelle Bestimmung der wesentlichen physikalischen Eigenschaften wie z. B. der Bandlücke vorgenommen. Auf der Grundlage dieser Ergebnisse sollen durch Simulationen unter Einbeziehung der elektrischen Transporteigenschaften des Materials das optimale Bauelementedesign in Verbindung mit dem Schichtaufbau sowie die erreichbaren Betriebsparameter entsprechender Bauelemente ermittelt werden. Die Realisierung und meßtechnische Charakterisierung von Hochfrequenztransistoren auf der Basis von InGaN/InN soll den Abschluß der Arbeiten bilden.