Mechanism elucidation of resistive switching mechanism using atomic force microscope in oxide-based ReRAM

使用原子力显微镜阐明氧化物基 ReRAM 中的电阻开关机制

• 批准号: 23760313
• 负责人: KINOSHITA Kentaro
• 金额: $ 2.08万
• 依托单位: Tottori University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760313/
• 关键词: 抵抗変化メモリ (ReRAM); ReRAM; ペロブスカイト酸化物; 単結晶; 銅酸化物超伝導体; 抵抗変化; 水素; Pt; メカニズム; 国際情報交流

We made resistive random access memory (ReRAM) structures using Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212) single crystal as the memory layer. It was clarified that the introduction of oxygen vacancies to the Bi-2212 single crystal was required for the development of the memory effect and could be achieved by depositing electrodes with low Gibbs free energies. The model which explains the resistance switching of perovskite-oxide-based-ReRAM was proposed based on the results. In addition, we, for the first time, demonstrated that the resistive switching can be caused by migration of hydrogen ions.

采用Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212)单晶作为存储层制备了电阻式随机存取存储器（ReRAM）结构。结果表明，在Bi-2212单晶中引入氧空位是发展记忆效应所必需的，并且可以通过沉积低吉布斯自由能电极来实现。在此基础上，提出了钙钛矿-氧化物基reram的电阻开关模型。此外，我们首次证明了氢离子的迁移可以引起电阻开关。

项目成果

抵抗変化メモリ(ReRAM)のスイッチング機構と動作特性の制御

电阻式存储器（ReRAM）的切换机制和操作特性的控制

• 发表时间: 2012
• 作者: 木下健太郎;岸田悟
• 通讯作者: 岸田悟

ペロブスカイト酸化物系ReRAM における抵抗変化の発現機構

钙钛矿氧化物基ReRAM电阻变化机制

• 发表时间: 2011
• 作者: 花田明紘;木下健太郎 ;松原勝彦;岸田悟
• 通讯作者: 岸田悟

ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム

钙钛矿氧化物基ReRAM的开关机制

• 发表时间: 2011
• 作者: 松原勝彦;木下健太郎;花田明紘;岸田悟
• 通讯作者: 岸田悟

ペロブスカイト酸化物系ReRAMにおける水素イオン移動による抵抗変化

钙钛矿氧化物基 ReRAM 中氢离子移动引起的电阻变化

• 发表时间: 2012
• 作者: C.-P. Chen;J. Oda;Y. Kamiji;T. Anada;Z. Ma;野津 武志
• 通讯作者: 野津 武志

Analysis of Memory Effect Induced by Hydrogen Annealing

• DOI: 10.7566/jpscp.1.012089
• 发表时间: 2014-03
• 期刊: Biospektrum
• 作者: A. Hanada;H. Miura;T. Notsu;S. Kishida;K. Kinoshita