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Mechanism elucidation and assessment of the performance of new resistance memory effect caused by movement of hydrogen ions

Mechanism elucidation and assessment of the performance of new resistance memory effect caused by movement of hydrogen ions
氢离子运动引起的新电阻记忆效应性能的机理阐明和评估
批准号：
25820143
负责人：
KINOSHITA Kentaro
金额：
$2.5万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25820143/
关键词：
抵抗変化メモリReRAMペロブスカイト酸化物水素触媒XAFS次世代メモリの研究開発メモリ素子の高機能化

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ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構
钙钛矿氧化物中引入氢离子引起电阻切换效应的机制
DOI： --
发表时间： 2014
期刊： 表面科学
影响因子： --
作者： [花田明紘, 三浦寛基, 野津武志, 大沢仁志, 伊奈稔哲, 鈴木基寛, 河村直己, 水牧仁一郎, 宇留賀朋哉, 木村滋, 岸田悟, 木下健太郎]
通讯作者： 木下健太郎
Mechanism elucidation of resistive switching mechanism using atomic force microscope in oxide-based ReRAM
  • 批准号：
    23760313
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.08万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    KINOSHITA Kentaro
  • 依托单位：
    Tottori University
国内基金
海外基金
面向ReRAM模拟存内计算的软硬件协同搜索方法及影响机理研究
  • 批准号：
    62306291
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    吕波
  • 依托单位：
    之江实验室
高能效全数字式ReRAM存内计算芯片关键技术
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    岳金山
  • 依托单位：
    中国科学院微电子研究所
基于ReRAM的高性能混合精度神经网络研究
  • 批准号：
    62104040
  • 项目类别：
    青年科学基金项目（C类）
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    周可基
  • 依托单位：
    复旦大学
金属氧化物ReRAM的稳定性和可靠性研究
  • 批准号：
    61072015
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    38.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    季振国
  • 依托单位：
    杭州电子科技大学