Mechanism elucidation and assessment of the performance of new resistance memory effect caused by movement of hydrogen ions

氢离子运动引起的新电阻记忆效应性能的机理阐明和评估

基本信息

  • 批准号:
    25820143
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構
钙钛矿氧化物中引入氢离子引起电阻切换效应的机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    花田明紘;三浦寛基;野津武志;大沢仁志;伊奈稔哲;鈴木基寛;河村直己;水牧仁一郎;宇留賀朋哉;木村滋;岸田悟;木下健太郎
  • 通讯作者:
    木下健太郎
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

KINOSHITA Kentaro其他文献

KINOSHITA Kentaro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('KINOSHITA Kentaro', 18)}}的其他基金

Mechanism elucidation of resistive switching mechanism using atomic force microscope in oxide-based ReRAM
使用原子力显微镜阐明氧化物基 ReRAM 中的电阻开关机制
  • 批准号:
    23760313
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似国自然基金

面向ReRAM模拟存内计算的软硬件协同搜索方法及影响机理研究
  • 批准号:
    62306291
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
高能效全数字式ReRAM存内计算芯片关键技术
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于ReRAM的高性能混合精度神经网络研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
金属氧化物ReRAM的稳定性和可靠性研究
  • 批准号:
    61072015
  • 批准年份:
    2010
  • 资助金额:
    38.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

Collaborative Research: SHF: Small: RUI: CMOS+X: Honey-ReRAM Enabled 3D Neuromorphic Accelerator
合作研究:SHF:小型:RUI:CMOS X:Honey-ReRAM 支持的 3D 神经形态加速器
  • 批准号:
    2247343
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: SHF: Small: RUI: CMOS+X: Honey-ReRAM Enabled 3D Neuromorphic Accelerator
合作研究:SHF:小型:RUI:CMOS X:Honey-ReRAM 支持的 3D 神经形态加速器
  • 批准号:
    2247342
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FuSe-TG: Domain-Specific 3D ReRAM-based Processing-in-Memory Accelerators for Streaming Time Series Applications
FuSe-TG:用于流时间序列应用的特定领域的基于 3D ReRAM 的内存处理加速器
  • 批准号:
    2235398
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Modeling of Stochastic Behavior of ReRAM Devices for Neuromorphic Applications
用于神经形态应用的 ReRAM 器件随机行为建模
  • 批准号:
    21K04186
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
FET: Small: RESONANCE: Accelerating Speech/Language Processing through Collective Training using Commodity ReRAM Chips
FET:小型:共振:使用商用 ReRAM 芯片通过集体训练加速语音/语言处理
  • 批准号:
    1910299
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CNS Core: Small: Architecting Secure-by-Design ReRAM-Based Memories
CNS 核心:小型:构建基于 ReRAM 的安全设计存储器
  • 批准号:
    1908471
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Nanoscale technology platform for ReRAM and PCM devices (Z04*)
适用于 ReRAM 和 PCM 器件的纳米级技术平台 (Z04*)
  • 批准号:
    426850996
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Collaborative Research Centres
Study on ReRAM circuit operation using in-situ TEM for development of artificial neurons
使用原位 TEM 研究 ReRAM 电路操作以开发人工神经元
  • 批准号:
    16H04339
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SHF: Small: Architectural Support for Reliable ReRAM Crossbar Memory
SHF:小型:对可靠 ReRAM 交叉开关内存的架构支持
  • 批准号:
    1617071
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Development of nonvolatile Fe-ReRAM and study on the operation mechanism
非易失性Fe-ReRAM的研制及其工作机理研究
  • 批准号:
    26630126
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了