Development of a deep-UV light-emitting device by a novel pulsed laser deposition technique

采用新型脉冲激光沉积技术开发深紫外发光器件

• 批准号: 23656444
• 负责人: NAKAMURA Takahiro
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656444/
• 关键词: 薄膜プロセス; レーザー; パルスレーザー堆積法; 深紫外発光素子; フェムト秒パルスレーザー; 冷凍ターゲット

Fabrication of a high-quality boron nitride film for a deep-UV light-emitting diode by a novel pulsed laser deposition (PLD) technique combining high-intensity laser pulses with frozen target was investigated. A diamond-like carbon (DLC) film with high sp3 content was prepared by PLD using a frozen benzene target by a newly developed film formation system. Based on the results, a preparation technique of a high-quality boron nitride film for development of a deep-UV light-emitting diode was established.

采用脉冲激光沉积(PLD)技术，结合强激光脉冲和凝固靶，制备了用于深紫外光发光二极管的高质量氮化硼薄膜。利用新开发的成膜系统，以冷冻苯靶为靶材，用PLD法制备了高SP3含量的类金刚石(DLC)薄膜。在此基础上，建立了用于深紫外光发光二极管研制的高质量氮化硼薄膜的制备工艺。

项目成果

冷凍ベンゼンをターゲットとして用いたPLD法によるDLC薄膜の作製とレーザーフルエンス依存性

冷冻苯靶材PLD法制备DLC薄膜及激光注量依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: K. Fushimi;Y. Takabatake;T. Nakanishi,Y. Hasegawa;足立吉隆;伏見公志;K. Hirayama;柳澤慧,伏見公志,中西貴之,長谷川靖哉,河野崇史,木村光男;足立吉隆;連川貞弘;高畠勇,伏見公志,中西貴之,長谷川靖哉;武井章生,中村貴宏,佐藤俊一
• 通讯作者: 武井章生,中村貴宏,佐藤俊一

冷凍ベンゼンをターゲットとして用いたPLD法によるa-C:H薄膜の作製

以冷冻苯为靶材的PLD法制备a-C:H薄膜

• 发表时间: 2011
• 作者: 武井章生;中村貴宏;佐藤俊一
• 通讯作者: 佐藤俊一