Science of Hetero-Interface of Advanced Power Devises in Extreme Environments
极端环境下先进电源器件的异质接口科学
基本信息
- 批准号:24226017
- 负责人:
- 金额:$ 131.29万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-05-31 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Silver Sinter Joining for WBG Die-Attach
用于 WBG 芯片贴装的银烧结连接
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Saito K;Umena Y;Kawakami K;Shen JR;Kamiya N;Ishikita H;K. Suganuma
- 通讯作者:K. Suganuma
Effect of electromigration on mechanical shock behavior in solder joints of surface mounted chip components
电迁移对表面贴装片式元件焊点机械冲击行为的影响
- DOI:10.7567/jjap.53.04eb02
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Kim;S. Nagao;T. Sugahara;K. Suganuma;M. Ueshima;H.-J. Albrecht;K. Wilke
- 通讯作者:K. Wilke
銀ダイレクトボンディングにおける接合条件の最適化
银直接键合键合条件的优化
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Atsushi Nakamura;Jiyong Kang;Yasufumi Umena;Keisuke Kawakami;Shen Jian-Ren;Nobuo Kamiya;and Masaru Tateno;Y.Ando;呉 哲旼,長尾 至成,菅原 徹,菅沼 克昭
- 通讯作者:呉 哲旼,長尾 至成,菅原 徹,菅沼 克昭
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Suganuma Katsuaki其他文献
Direct observation of hydrogen bubble generation on photocatalyst particles by in situ electron microscopy
原位电子显微镜直接观察光催化剂颗粒上氢气泡的产生
- DOI:
10.1016/j.cplett.2018.05.081 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:2.8
- 作者:
Daio Takeshi;Narita Ichihito;Nandy Swarnava;Hisatomi Takashi;Domen Kazunari;Suganuma Katsuaki - 通讯作者:
Suganuma Katsuaki
大規模構造に対する線形回帰ポテンシャルの高精度化
大型结构线性回归潜力的高精度
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Daio Takeshi;Narita Ichihito;Nandy Swarnava;Hisatomi Takashi;Domen Kazunari;Suganuma Katsuaki;近藤 大介,世古 敦人,田中 功 - 通讯作者:
近藤 大介,世古 敦人,田中 功
Tin Whisker Growth Inhibition in RE-Doped Sn-Zn Soldered Joints
稀土掺杂 Sn-Zn 焊点中锡晶须生长的抑制
- DOI:
10.3390/app9071406 - 发表时间:
2019-04 - 期刊:
- 影响因子:2.7
- 作者:
Xue Peng;Liang Weiliang;He Peng;Suganuma Katsuaki;Zhang Hao - 通讯作者:
Zhang Hao
Non-contact Laser Printing of Ag Nanowire-based Electrode with Photodegradable Polymers
具有光降解聚合物的银纳米线基电极的非接触式激光打印
- DOI:
10.2494/photopolymer.32.429 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0.8
- 作者:
Araki Teppei;den Toonder Jaap M J;Suganuma Katsuaki;Uemura Takafumi;Noda Yuki;Yoshimoto Shusuke;Izumi Shintaro;Sekitani Tsuyoshi - 通讯作者:
Sekitani Tsuyoshi
プラズモニック回折格子を用いたシリコンイメージセンサの近赤外吸収効率の向上
使用等离子体衍射光栅提高硅图像传感器的近红外吸收效率
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kawabata Rei;Araki Teppei;Akiyama Mihoko;Uemura Takafumi;Wu Tianxu;Koga Hirotaka;Okabe Yusuke;Noda Yuki;Tsuruta Shuichi;Izumi Shintaro;Nogi Masaya;Suganuma Katsuaki;Sekitani Tsuyoshi;吉永崇仁,橋本和磨,寺西信一,小野篤史 - 通讯作者:
吉永崇仁,橋本和磨,寺西信一,小野篤史
Suganuma Katsuaki的其他文献
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{{ truncateString('Suganuma Katsuaki', 18)}}的其他基金
Structural material joining utilizing stress migration
利用应力迁移进行结构材料连接
- 批准号:
16K14406 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
ワイドギャップ系パワー半導体のスイッチング機能を用いた直流遮断法の開発
利用宽禁带功率半导体的开关功能开发直流切断方法
- 批准号:
24K00867 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体材料の超精密研削を実現する熱可塑性樹脂ボンド砥石の有気孔化と性能評価
功率半导体材料超精密磨削用热塑性树脂结合剂砂轮的多孔结构及性能评价
- 批准号:
24K07269 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代パワー半導体実装用インバー合金メタライズ膜の高効率化学析出反応の解明
阐明用于下一代功率半导体封装的因瓦合金金属化薄膜的高效化学沉淀反应
- 批准号:
24K08121 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号:
23K13313 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
情報学を活用した移動現象制御手法の開発とパワー半導体作製プロセスへの適用
利用信息学开发运动现象控制方法及其在功率半导体制造过程中的应用
- 批准号:
22KJ2057 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
回路方式と融合したパワー半導体ノイズ誤動作メカニズム解明と試験手法の確立
结合电路系统阐明功率半导体噪声故障机理及测试方法建立
- 批准号:
22K04069 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明
完整阐明下一代功率半导体 β-Ga2O3 的固有缺陷水平
- 批准号:
22K04206 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
セルロースナノファイバを用いたパワー半導体用熱応力緩和電極の創製
使用纤维素纳米纤维创建功率半导体的热应力松弛电极
- 批准号:
22K04721 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
脱炭素社会の一翼を担うパワー半導体向け電界スパイキングスライス技術の開発
开发为脱碳社会发挥作用的功率半导体电场尖峰切片技术
- 批准号:
22K03871 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
パワー半導体デバイスダイアタッチ接合部の疲労き裂ネットワーク破壊寿命予測法の確立
功率半导体器件芯片连接疲劳裂纹网络断裂寿命预测方法的建立
- 批准号:
21K04182 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 131.29万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)














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