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Theoretical calculation of the electronic structure of topological insulators

Theoretical calculation of the electronic structure of topological insulators
拓扑绝缘体电子结构的理论计算
批准号:
24540328
负责人:
ISHIDA Hiroshi
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31

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石田研究室・研究内容
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DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Coulomb blockade and Kondo effect in the electronic structure of Hubbard molecules connected to metallic leads: A finite-temperature exact-diagonalization study
连接到金属引线的哈伯德分子电子结构中的库仑封锁和近藤效应:有限温度精确对角化研究
DOI: 10.1103/physrevb.86.205115
发表时间: 2012
期刊: Physical Review B
影响因子: 3.7
作者: [H. Ishida, A. Liebsch, H. Ishida and A.Liebsch]
通讯作者: H. Ishida and A.Liebsch
Novel topological insulator phase induced by proximity effects at the interface between a topological band insulator and a Mott insulator: A layer DMFT approach
拓扑带绝缘体和莫特绝缘体之间界面的邻近效应引起的新型拓扑绝缘体相位:层 DMFT 方法
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [H. Ishida, A. Liebsch]
通讯作者: A. Liebsch
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
与拓扑带绝缘体和莫特绝缘体之间的界面相关的掩埋拓扑边缘态
DOI: 10.1103/physrevb.90.205134
发表时间: 2014
期刊: Physical Review B
影响因子: 3.7
作者: [H. Ishida, A. Liebsch]
通讯作者: A. Liebsch
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    First-principles calculation study of the long-range restructuring of noble-metal surfaces
    • 批准号:
      20K05333
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.25万
    • 财政年份:
      2020
    • 负责人:
      ISHIDA Hiroshi
    • 依托单位:
    An Exploration of Primary Odors That Enables Reproduction of Arbitrary Odors
    Research on Development of the Rip Current Measuring System by using Acoustic Tomography
    Development of Olfactory Sensing System with Active Flow Generator and Its Application to Gas/Odor Source Localization Robots