First-principles calculation of the electronic structure of metal/insulator interfaces

金属/绝缘体界面电子结构的第一性原理计算

• 批准号: 20540320
• 负责人: ISHIDA Hiroshi
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Nihon University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20540320/
• 关键词: 第一原理計算; 密度汎関数法; 動的平均場理論; ヘテロ界面; 金属絶縁体転移; トンネル接合; エムベッディッドGreen関数法; 強相関物質; クラスター動的平均場理論; Green関数法; 動的平均場近似; 半無限計算; 金属絶縁体界面

We studied the electronic structure of metal/insulator interfaces by quantum mechanical calculations. In particular, to describe the Mott insulator arising from strong Coulomb interactions, we derived a method to apply dynamical mean-field theory to multilayer systems such as semi-infinite interfaces. By applying this method and also by incorporating interatomic correlation effects, we clarified how metallic states penetrate into the insulator layers at the metal/Mott insulator interface.

我们通过量子力学计算研究了金属/绝缘体界面的电子结构。特别是，为了描述强库仑相互作用产生的莫特绝缘体，我们导出了一种将动态平均场理论应用于半无限界面等多层系统的方法。通过应用这种方法并结合原子间相关效应，我们阐明了金属态如何渗透到金属/莫特绝缘体界面处的绝缘体层中。

项目成果

Correlation induced spin freezing transition in FeSe : A dynamical mean field theory

FeSe 中相关诱导的自旋冻结转变：动态平均场理论

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physical Review B 82巻
• 作者: A.Liebsch;H.Ishida
• 通讯作者: H.Ishida

ホームページ等。

主页等

Fermi-liquid, non-Fermi-liquid, and Mott phases in iron pnictides and cuprates

• DOI: 10.1103/physrevb.81.054513
• 发表时间: 2010-02-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Ishida, Hiroshi;Liebsch, Ansgar
• 通讯作者: Liebsch, Ansgar

Embedded Green-function approach for the calculation of surface electronic structure and electron transport through nanocontacts

用于计算表面电子结构和通过纳米接触的电子传输的嵌入式格林函数方法

• 发表时间: 2008
• 作者: 松本祐介;山岡洋也;鶴町徳昭;小柴俊;伊藤寛;中西俊介;伊藤民武;V.P.Biju;石川満;H.Ishida
• 通讯作者: H.Ishida

Mott transition in two-dimensional frustrated compounds

• DOI: 10.1103/physrevb.79.195108
• 发表时间: 2009-03
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: A. Liebsch;H. Ishida;J. Merino