课题基金 / 基金详情

Control of Fermi level pinning at surfaces and interfaces of InAlN

Control of Fermi level pinning at surfaces and interfaces of InAlN
InAlN 表面和界面费米能级钉扎的控制
批准号：
24560022
负责人：
AKAZAWA Masamichi
金额：
$3.49万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560022/
关键词：
InAlN表面界面界面準位ピンニングAl2O3窒化インジウムアルミニウム窒化物混晶フェルミ準位ピンニングMIS構造表面不活性化界面制御

项目摘要

项目成果

AKAZAWA Masamichi的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Native Oxide Removal from InAlN Surfaces by Hydrofluoric Acid Based Treatment
通过氢氟酸处理去除 InAlN 表面的自然氧化物
DOI： 10.1587/transele.e96.c.686
发表时间： 2013
期刊： IEICE Transactions on Electronics
影响因子： 0.5
作者： [飯田和貴, 横田裕樹, 夫恒範, 金大貴, T. Nakano and M. Akazawa]
通讯作者： T. Nakano and M. Akazawa
ALD-Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討
ALD-Al2O3绝缘层InAlN MOS二极管制作工艺研究
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [千葉 勝仁, 中野 拓真, 赤澤 正道]
通讯作者： 赤澤 正道
Investigation of Native Oxide Layers on Untreated and Chemically Treated InAlN Surfaces by X-ray Photoelectron Spectroscopy
DOI： 10.1149/2.004201ssl
发表时间： 2012
期刊： ECS Solid State Letters
影响因子： --
作者： [M. Akazawa;T. Nakano]
通讯作者： M. Akazawa;T. Nakano
Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces
氢氟酸处理对InAlN表面的影响
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Miyake, F. Fukuyo, S. Ochiai, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi, T. Nakano and M. Akazawa]
通讯作者： T. Nakano and M. Akazawa
共 25 条
    Research on a highly efficient semiconductor THz emitting source using a metal thin-film mesh
    • 批准号：
      16560288
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.37万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      AKAZAWA Masamichi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Implementation of Ultra Micro Boltzmann Machine Neuron
    • 批准号：
      09650375
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      AKAZAWA Masamichi
    • 依托单位：
      HOKKAIDO UNIVERSITY
    Fabrication of Highly Functional MMICs Using Traveling Wave Interaction Mode and Static Magnetic Wave Mode
    • 批准号：
      04805028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.28万
    • 财政年份：
      1992
    • 负责人：
      AKAZAWA Masamichi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    国内基金
    海外基金
    H13表面激光熔覆原位自生TiC/高熵合金复合涂层熔池演化与界面多尺度强韧化
    • 批准号：
      JCZRLH202600416
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
    • 依托单位：
      湖北汽车工业学院
    石墨烯取向调控制动接触界面摩擦学行为研究
    • 批准号：
      2026JJ80495
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      万长鑫
    • 依托单位：
      怀化学院
    梯度润湿层级微纳结构表面液滴定向输运与冷凝换热机理研究
    • 批准号：
      2026JJ60188
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      彭启
    • 依托单位：
      长沙理工大学
    基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄兴才
    • 依托单位：
      盐城师范学院