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A new opwerating mode of SiC-buried gate static induction transistor with untra-low on-resistance
超低导通电阻SiC埋栅静电感应晶体管的新工作模式
基本信息
- 批准号：24560327
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計
3kV常断型SiC-BGSIT的设计
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：飯塚大臣;田中保宣;八尾勉;高塚章夫;山本真幸;矢野浩司
- 通讯作者：矢野浩司
SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性
SiC埋栅型SIT导通电阻的温度特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：望月雄貴 ;田中保宣 ;八尾勉 ;高塚章夫 ;山本真幸 ;矢野浩司
- 通讯作者：矢野浩司
3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
3 kV 常断 4H-SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：加藤雅大;飴井賢治;大路貴久;作井正昭;A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
- 通讯作者：A. Takatsuka,Y.Tanaka,K.Yano,N.Matsumoto,T.Yatsuo,and K.Arai
ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン性能の改善
通过栅极过驱动提高常关型 SiC-BGSIT 的导通性能
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：勝俣公貴;田中保宣;八尾勉;高塚章夫;山本真幸;矢野浩司
- 通讯作者：矢野浩司
3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
具有超低比导通电阻的 3.3 kV SiC 埋栅静态感应晶体管 (SiC-BGSIT)
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yasunori TANAKA ;Akio TAKATSUKA;Koji YANO;Norio MATSUMOTO;Tsutomu YATSUO
- 通讯作者：Tsutomu YATSUO
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- 批准号：
22K04947 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Realization of a mechanical structure enabling power generation and vibration reduction via band engineering
通过带工程实现可发电和减振的机械结构
- 批准号：
21KK0252 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
異方的圧縮応力の印加による準安定酸化物の高温での反応速度論的安定性の制御
通过施加各向异性压应力控制高温下亚稳态氧化物的动力学稳定性
- 批准号：
22K14286 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Analysis of ohmic metal/semiconductor interfaces by low-temperature SIPM
利用低温 SIPM 分析欧姆金属/半导体界面
- 批准号：
21K04135 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発
使用超宽禁带AlN半导体的功率晶体管的开发
- 批准号：
21H01389 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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氧化物半导体对人体无害的柔性二极管的开发及整流天线电路的应用
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21K04203 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.49万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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$ 3.49万 - 项目类别：
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