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Research on the maximum performance of silicon carbide static induction devices

Research on the maximum performance of silicon carbide static induction devices
碳化硅静电感应器件最大性能研究
批准号：
18560274
负责人：
YANO Koji
金额：
$2.3万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18560274/
关键词：
パワーデバイスシリコンカーバイドワイドバンドギャップ静電誘導トランジスタ炭化珪素省エネルギー炭化硅素

项目摘要

项目成果

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我々は次世代省エネデバイスとして期待されている超低損失の炭化ケイ素静電誘導トランジスタを開発してきた。本研究では同デバイスの限界性能を明らかにする為に、スイッチング時間および負荷短絡耐量を評価した。その結果、ターンオン時間30ns、ターンオフ時間は80nsを実現した。またDC-DC コンバータの実機試験を行い、周波数100kHz, 電源電圧400V, 電流値4.3A, デューティー比50%の条件で行い安定な動作を確認できた。さらに30μs 間の負荷短絡状態で3500A/cm2 の電流値を保証できた。これらの性能は同定格のSi-IGBT よりも大きく、今後のSiC パワーデバイスの研究開発において意義深い結果である。
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1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)
1270V、1.21mΩcm2 SiC埋栅静电感应晶体管(SiC-BGSITs)
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： Tech. Dig., Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007
影响因子： --
作者： [Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Takatsuka, K. Arai, T. Yatsuo]
通讯作者： T. Yatsuo
Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)
SiC 埋栅静电感应晶体管 (BG-SIT) 的 Furnoff 操作的三维分析
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science Forum 600-603
影响因子： --
作者： [K. Yano, Y. Tanaka, T. Yatsuo, A. Takatsuka, M. Okamoto, K. Arai]
通讯作者： K. Arai
1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)
1270V、1.21mΩcm2 SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science Forum 600-603
影响因子： --
作者： [Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Tanaka, K. Arai, T. Yatsuo]
通讯作者： T. Yatsuo
Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)
SiC 埋栅静电感应晶体管 (BG-SIT) 关断操作的三维分析
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science Forum
影响因子： --
作者： [K.Yano, Y.Tanaka, T.Yatsuo,A.Takatsuka, M.Okamoto, and K. Arai]
通讯作者： and K. Arai
共 10 条
    3D stacked assembly of SiC cascode power devices
    • 批准号：
      17H03214
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.23万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      YANO Koji
    • 依托单位：
      University of Yamanashi
    Pulse power application of SiC power devices with ultra-low loss and high switching speed
    • 批准号：
      15K13927
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      YANO Koji
    • 依托单位：
      University of Yamanashi
    A new opwerating mode of SiC-buried gate static induction transistor with untra-low on-resistance
    • 批准号：
      24560327
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.49万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      YANO Koji
    • 依托单位：
      University of Yamanashi
    Evaluation on the paddy dwelling chironomids in view of IPM
    • 批准号：
      02660049
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.41万
    • 财政年份：
      1990
    • 负责人：
      YANO Koji
    • 依托单位：
      Yamaguchi University
    海外基金