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Research on the maximum performance of silicon carbide static induction devices
碳化硅静电感应器件最大性能研究
基本信息
- 批准号：18560274
- 负责人：
- 金额：$ 2.3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
我々は次世代省エネデバイスとして期待されている超低損失の炭化ケイ素静電誘導トランジスタを開発してきた。本研究では同デバイスの限界性能を明らかにする為に、スイッチング時間および負荷短絡耐量を評価した。その結果、ターンオン時間30ns、ターンオフ時間は80nsを実現した。またDC-DC コンバータの実機試験を行い、周波数100kHz, 電源電圧400V, 電流値4.3A, デューティー比50%の条件で行い安定な動作を確認できた。さらに30μs 間の負荷短絡状態で3500A/cm2 の電流値を保証できた。これらの性能は同定格のSi-IGBT よりも大きく、今後のSiC パワーデバイスの研究開発において意義深い結果である。
For the next generation, we are looking forward to the introduction of ultra-low loss carbonization materials. In this study, we compare the performance limits of the same test. We know that the performance is different, and that the time limit is low, and the load is short. The results of the test, the 30ns in the crash time, and the 80ns in the crash time are not available. The number of waves per week (100kHz), the power source (400V) and the current (4.3A) are higher than 50%. The DC-DC is better than 50%. The action to confirm the temperature. The temperature is 30 μ s and the load is short. The 3500A/cm2 current is safe and reliable. The performance is the same as that of Si-IGBT. In the future, we will conduct a comprehensive study of the meaning of the study.
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
1270V, 1.21mΩcm2 SiC Buried gate static induction transistors(SiC-BGSITs)
1270V、1.21mΩcm2 SiC埋栅静电感应晶体管(SiC-BGSITs)
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Tanaka;K. Yano;M. Okamoto;A. Takatsuka;K. Arai;T. Yatsuo
- 通讯作者：T. Yatsuo
Three dimensional analysis of furnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)
SiC 埋栅静电感应晶体管 (BG-SIT) 的 Furnoff 操作的三维分析
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yano;Y. Tanaka;T. Yatsuo;A. Takatsuka;M. Okamoto;K. Arai
- 通讯作者：K. Arai
1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs)
1270V、1.21mΩcm2 SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Tanaka;K. Yano;M. Okamoto;A. Tanaka;K. Arai;T. Yatsuo
- 通讯作者：T. Yatsuo
Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)
SiC 埋栅静电感应晶体管 (BG-SIT) 关断操作的三维分析
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Yano;Y.Tanaka;T.Yatsuo,A.Takatsuka;M.Okamoto;and K. Arai
- 通讯作者：and K. Arai
Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters, European Silicon Carbide and Related Matterials
SiC-BGSIT在DC-DC转换器、欧洲碳化硅及相关材料中的应用
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Tanaka;K.Yano;A.Takatsuka;K.Arai;and T.Yatsuo
- 通讯作者：and T.Yatsuo
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