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3D stacked assembly of SiC cascode power devices

SiC 共源共栅功率器件的 3D 堆叠组件

基本信息

批准号：
17H03214
负责人：
YANO Koji
金额：
$ 11.23万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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山梨大学　研究者総覧

山梨大学研究员名单

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor

使用SiC静电感应晶体管的共源共栅开关的应力测试

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Matsumoto;Y. Tanaka; K. Yano
通讯作者：
K. Yano

Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor

DOI：
10.1109/led.2018.2878933
发表时间：
2018-10
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
K. Yano;Yasunori Tanaka;M. Yamamoto
通讯作者：
K. Yano;Yasunori Tanaka;M. Yamamoto

DOI：
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作者：
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通讯作者：
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作者：
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财政年份：
2024
资助金额：
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项目类别：
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