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3D stacked assembly of SiC cascode power devices

3D stacked assembly of SiC cascode power devices
SiC 共源共栅功率器件的 3D 堆叠组件
批准号：
17H03214
负责人：
YANO Koji
金额：
$11.23万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03214/
关键词：
パワーデバイスSiCワイドバンドギャップSITJFETパワーモジュール実装ワイドバンドギャップ半導体電力工学半導体工学

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山梨大学　研究者総覧
山梨大学研究员名单
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor
使用SiC静电感应晶体管的共源共栅开关的应力测试
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Matsumoto, Y. Tanaka, K. Yano]
通讯作者： K. Yano
Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor
DOI： 10.1109/led.2018.2878933
发表时间： 2018-10
期刊： IEEE Electron Device Letters
影响因子： 4.9
作者： [K. Yano;Yasunori Tanaka;M. Yamamoto]
通讯作者： K. Yano;Yasunori Tanaka;M. Yamamoto
Pulse power application of SiC power devices with ultra-low loss and high switching speed
  • 批准号：
    15K13927
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.66万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
A new opwerating mode of SiC-buried gate static induction transistor with untra-low on-resistance
  • 批准号：
    24560327
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.49万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
Research on the maximum performance of silicon carbide static induction devices
  • 批准号：
    18560274
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    University of Yamanashi
Evaluation on the paddy dwelling chironomids in view of IPM
  • 批准号：
    02660049
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    YANO Koji
  • 依托单位：
    Yamaguchi University
国内基金
海外基金
高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
  • 批准号：
    2026JJ80072
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    曾荣周
  • 依托单位：
    湖南工业大学
空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
  • 批准号：
    2026JJ60454
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    桂庆忠
  • 依托单位：
    湖南大学
多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    黄兴才
  • 依托单位：
    盐城师范学院