What should we do for fabrication of silicon nano structures using soft lithography techniques ?

使用软光刻技术制造硅纳米结构我们应该做什么？

• 批准号: 24560861
• 负责人: HANAJIRI TATSURO
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Toyo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560861/
• 关键词: SPM; μ-TAS; SOQ; SOI; GO; rGO; ECM; ＭＰＣ; PCR; ＧＯ; シリコンナノ粒子; MPC; μ‐TAS

项目成果

Improvement of electrical characterisutics of local BOX MOSFETs by heavily doped structures and eludiation of the related mechanism

重掺杂结构改善局域BOX MOSFET电特性及相关机制的探讨

• DOI: 10.1007/s10825-013-0549-5
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Computational Electronics
• 影响因子: 2.1
• 作者: T.Yamada;Y.Nakajima,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano
• 通讯作者: Y.Nakajima,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano

Compatibility of graphene sheets with blodd components

石墨烯片与血液成分的相容性

• 发表时间: 2012
• 作者: Y.Yoshihara,H.Uchida,T.Shimizu,T.Mizuki,Y.Nakajima;T.Hanajiri
• 通讯作者: T.Hanajiri

The influence of channel surface coating on z potential causing electroosmotic flow

通道表面涂层对引起电渗流的 z 电位的影响

• 作者: Yusuke Yoshihara;Toshiaki Shimizu;Yoshikata Nakajima;Tatsuro Hanajiri
• 通讯作者: Tatsuro Hanajiri

Suppression of Drain-Induced Barrier Lowering in Silicon-on-Insulator MOSFETs Through Source/Drain Engineering for Low-Operating-Power System-on-Chip Applications

• DOI: 10.1109/ted.2012.2225063
• 发表时间: 2013
• 期刊: IEEE Transactions on Electron Devices
• 影响因子: 3.1
• 作者: Tatsuya Yamada;Y. Nakajima;T. Hanajiri;Takuo Sugano

電気泳動コールター法における精度向上

提高电泳库尔特法的准确性

• 发表时间: 2015
• 作者: 清水 俊彰;水木 徹;鵜飼 智文;東 利晃;中島 義賢;花尻 達郎
• 通讯作者: 花尻 達郎