Interface-related properties of oxide quantum wells

ZnO基异质结是一种非常适合于紫外光谱应用的光电子材料。他们的光学特征韦尔登在西方是通过几何学和形态学来确定的。氧化量子膜的实现是激光沉积（PLD）和金属有机物石墨化外延（MOVPE）技术的结合。一个PLD-支架，带有一个Mehrfach-Targethalter für die Herstellung von Heterostrukturen和一个MOVPE-支架，用于氧化物，在Vorarbeiten aufgebaut中完成。Als vielversprechende Route für hervorragende Schichtqualität ist die hybrid Combination einer PLD Nukleationsschicht mit anschließendem MOVPE-Wachstum geplant. Es sollen ZnO/MgxZn1-xO Quantenfilme für Emission E größer=3.3 eV and CdxZn1-xO/ ZnO-Strukturen für Emission E kleiner=3.3 eV im blau-grünen Spektränen reich hergestellt und untersucht韦尔登.通过对量子阱参数（迪凯Lz wenige nm）的优化，最终获得了体积（~μm）的最优值，从而实现了对量子阱Lz和阻挡层材料（x）的优化特征值的修正。Die Grenzflächenrauhigkeit ist als Funktion der Wachstumsführung，z.B. Wachstumsunterbrechung，Temperatur，Sauerstoff-Partialdruck，zu untersuchen.韦尔登岩中CdO和MgO（Kochsalz-Struktur）假晶矿物的矿物学性质有待进一步研究。半导体ZnO和（铁）磁性n-ZnO [ZnO：（Cr，Fe，Co）]异质结构的研究

ZnO-basierte Heterostrukturen sind ein vielversprechendes Material für optoelektronische Anwendungen im UV-Spektralbereich. Ihre optischen Eigenschaften werden im Wesentlichen durch die Geometrie und Morphologie der sie definierenden Grenzflächen bestimmt. Die Realisierung von oxidischen Quantenfilmen soll mittels der Gepulsten Laserdeposition (PLD) und der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) erfolgen. Eine PLD-Anlage mit einem Mehrfach-Targethalter für die Herstellung von Heterostrukturen und eine MOVPE-Anlage für Oxide wurden in Vorarbeiten aufgebaut. Als vielversprechende Route für hervorragende Schichtqualität ist die hybride Kombination einer PLD Nukleationsschicht mit anschließendem MOVPE-Wachstum geplant. Es sollen ZnO/MgxZn1-xO Quantenfilme für Emission E größer=3.3 eV und CdxZn1-xO/ ZnO-Strukturen für Emission E kleiner=3.3 eV im blau-grünen Spektralbereich hergestellt und untersucht werden. Neben einer Optimierung der Wachstumsparameter für den Quantentopf (Dicke Lz wenige nm), die eventuell von denen der Volumenschichten (~µm) abweichen, soll die Modifikation der optischen Eigenschaften für verschiedene Dicken Lz und Barrierenmaterialien (x) untersucht werden. Die Grenzflächenrauhigkeit ist als Funktion der Wachstumsführung, z.B. Wachstumsunterbrechung, Temperatur, Sauerstoff-Partialdruck, zu untersuchen. Die Möglichkeit des pseudomorphen Wachstums von CdO und MgO (Kochsalz-Struktur) nach Wurtzit soll exploriert werden. Perspektivisch sollen Heterostrukturen aus halbleitendem ZnO und (ferro-) magnetischem n-ZnO untersucht werden [ZnO:(Cr,Fe,Co)].