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Amorphous p-type spinel thin films

Amorphous p-type spinel thin films
非晶p型尖晶石薄膜
批准号：
248402426
负责人：
Professor Dr. Marius Grundmann
金额：
$0.0万
依托单位：
Abteilung Halbleiterphysik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2014
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-12-31 至 2017-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/248402426?language=en
关键词：
Amorphoustypespinelthinfilms

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项目成果

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A new type of p-conducting semiconductor will be investigated which relies on disorder induced doping effects. Such doping has been prediced theoretically for certain AB2O4 spinels in their crystalline form. In particular fort he amorphous phase we expect such disorder effect to be enhanced. Our first results for amorphous ZnCo2O4 and heterodiodes with n-ZnO make this idea seem worthwhile. The electrical properties of selected spinels will be investigated with regard to crystallinity, stoichiometry and doping. Thus a new class of p-type oxide semiconductors will be established.
期刊论文(5)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Schottky barrier diodes based on room temperature fabricated amorphous zinc tin oxide thin films
DOI： 10.1002/pssa.201700210
发表时间： 2017-06
期刊： physica status solidi (a)
影响因子： --
作者： [P. Schlupp;H. von Wenckstern;M. Grundmann]
通讯作者： P. Schlupp;H. von Wenckstern;M. Grundmann
All Amorphous Oxide Bipolar Heterojunction Diodes from Abundant Metals
DOI： 10.1002/aelm.201400023
发表时间： 2015-02
期刊： Advanced Electronic Materials
影响因子： 6.2
作者： [P. Schlupp;F. Schein;H. von Wenckstern;M. Grundmann]
通讯作者： P. Schlupp;F. Schein;H. von Wenckstern;M. Grundmann
Ring Oscillators Based on ZnO Channel JFETs and MESFETs
DOI： 10.1002/aelm.201500431
发表时间： 2016-07
期刊： Advanced Electronic Materials
影响因子： 6.2
作者： [F. Klüpfel;H. von Wenckstern;M. Grundmann]
通讯作者： F. Klüpfel;H. von Wenckstern;M. Grundmann
All-Oxide Inverters Based on ZnO Channel JFETs With Amorphous ZnCo2O4 Gates
DOI： 10.1109/ted.2015.2493361
发表时间： 2015-11
期刊： IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子： 3.1
作者： [F. J. Klupfel;A. Holtz;F. Schein;H. von Wenckstern;M. Grundmann]
通讯作者： F. J. Klupfel;A. Holtz;F. Schein;H. von Wenckstern;M. Grundmann
Zinc magnesium oxynitrides
  • 批准号：
    391011127
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Professor Dr. Marius Grundmann
  • 依托单位：
    Abteilung Halbleiterphysik
Raman scattering in anisotropic crystals
  • 批准号：
    321135064
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Professor Dr. Marius Grundmann
  • 依托单位：
    Abteilung Halbleiterphysik
Flexible analogue and digital circuit blocks in amorphous metal oxides
  • 批准号：
    273039061
  • 项目类别：
    Priority Programmes
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Professor Dr. Marius Grundmann
  • 依托单位：
    Abteilung Halbleiterphysik
Diodes based on MBE and MOVPE oxide thin films
  • 批准号：
    266999219
  • 项目类别：
    Research Grants
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Professor Dr. Marius Grundmann
  • 依托单位：
    Abteilung Halbleiterphysik
国内基金
海外基金
铋基邻近双金属位点Type B异质结光热催化合成氨机制研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    黎景卫
  • 依托单位：
    佛山仙湖实验室
盐皮质激素受体抑制2型固有淋巴细胞活化加重心肌梗死后心室重构的作用机制
  • 批准号：
    82372202
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    49.00万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    侯旭敏
  • 依托单位：
    上海交通大学
损伤线粒体传递机制介导成纤维细胞/II型肺泡上皮细胞对话在支气管肺发育不良肺泡发育阻滞中的作用
  • 批准号：
    82371721
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    49.00万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    王星云
  • 依托单位：
    上海交通大学
GPSM1介导Ca2+循环-II型肌球蛋白网络调控脂肪产热及代谢稳态的机制研究
  • 批准号：
    82370879
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    49.00万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    严婧
  • 依托单位：
    上海交通大学