Spin-polarized surface states of germanium substrate modified by surface adsorbates

表面吸附物修饰的锗基底的自旋极化表面态

• 批准号: 24740197
• 负责人: YAJI Koichiro
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24740197/
• 关键词: スピン軌道相互作用; 半導体表面; 表面電子; 角度分解光電子分光; スピン分解光電子分光; 表面超構造

Spin-polarized surface states of heavy-element-atoms adsorbed semiconductor substrates have been studied. A monolayer Pb adsorbed Ge(111) surface exhibits two-dimensional electronic states localized in subsurface layers of a Ge(111) substrate. In addition, the surface-state bands are split into two due to the Rashba effect. For Pt-induced nanowires formed on Ge(001) surface, we found several one-dimensional metallic bands. One of the metallic bands is accurately one-dimensional and behaves as the Fermi gas. In addition, another quasi-one-dimensional metallic band shows the Rashba-type spin splitting. These results are essential to a new scientific field such as surface spin transport, filtering and injection into semiconductors.

研究了半导体衬底上吸附重元素原子的自旋极化表面态。单层吸附Pb的Ge（111）表面呈现出局域在Ge（111）衬底亚表面层中的二维电子态。此外，由于Rashba效应，表面态带被分成两个。对于Pt诱导的Ge（001）表面纳米线，我们发现了几个一维的金属带。其中一个金属带是精确的一维的，并且表现为费米气体。此外，另一个准一维金属带显示了Rashba型自旋劈裂。这些结果对于一个新的科学领域，如表面自旋输运、过滤和注入半导体是必不可少的。

项目成果

半導体上でスピン分裂した金属表面状態の発見

半导体上自旋分裂金属表面态的发现

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Ishii;A. Yokoyama;M. Yoshida;T. Shimada;Y. K. Kato;矢治光一郎
• 通讯作者: 矢治光一郎

一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態

一维原子链Pt/Ge(001)的自旋极化准一维金属电子态

• 发表时间: 2013
• 作者: Yuya Ominato;Mikito Koshino;矢治光一郎
• 通讯作者: 矢治光一郎

半導体表面上でスピン分裂した金属表面状態の発見

半导体表面自旋分裂金属表面态的发现

• 发表时间: 2013
• 作者: 横田 紘子;野末 朋也;矢治光一郎
• 通讯作者: 矢治光一郎

Direct observation of one-dimensional metallic bands of Pt-induced nanowires on Ge(001) by angle-resolved photoelectron spectroscopy

利用角分辨光电子能谱直接观察Ge(001)上Pt诱导纳米线的一维金属带

• 发表时间: 2012
• 作者: H. Yokota;N. Zhang;P. Thomas and M. Glazer;小林亮;Koichiro Yaji
• 通讯作者: Koichiro Yaji

Two-dimensional states localized in subsurface layers of Ge(111)

• DOI: 10.1103/physrevb.88.245310
• 发表时间: 2013-12-31
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Ohtsubo, Yoshiyuki;Yaji, Koichiro;Aruga, Tetsuya
• 通讯作者: Aruga, Tetsuya