Study on surface potential contrast of secondary electron images in scanning electron microscopy

扫描电镜二次电子图像表面电位对比研究

• 批准号: 24710130
• 负责人: KUMAGAI KAZUHIRO
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2013)National Institute for Materials Science (2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24710130/
• 关键词: 走査電子顕微鏡法; 二次電子; コントラスト; 薄膜; 電子分光; 検出器特性; 走査電子顕微鏡; 二次電子像; 表面ポテンシャル

Recent studies on scanning electron microscopy report that secondary electron imaging of nano films on a substrate shows the contrast originated in surface potential, especially in images given by low energy secondary electrons. Although, for this contrast, a model considering semiconductor-metal junction is proposed, there is not sufficient discussions for the details yet. In this study, we have (1) propose an improved evaluation method on the secondary electron detectors, and (2) studied of surface potential contrast by using nanofilms, which have compositional gradient, deposited on Si substrate.The secondary electron images of this specimen show the contrast,which reflects bulk property of the film rather than surface potential. This result suggests us to carefully elucidate this contrast model as further study.

最近的扫描电子显微镜的研究报告，二次电子成像的基底上的纳米薄膜显示的对比度起源于表面电位，特别是在低能量的二次电子给出的图像。 虽然，对于这种对比，提出了一个模型，考虑到半导体-金属结，有没有足够的讨论的细节。 本研究提出了一种改进的二次电子探测器性能评价方法，并对沉积在硅衬底上的具有成分梯度的纳米薄膜的表面电位衬度进行了研究，实验中的二次电子像反映了薄膜的体特性，而不是表面电位。这一结果提示我们在进一步的研究中要仔细阐明这种对比模型。

项目成果

Estimation of Energy Acceptance of SE Detectors in Scanning Electron Microscopy

扫描电子显微镜中 SE 探测器能量接受度的估计

• DOI: 10.1017/s1431927613007976
• 发表时间: 2013
• 期刊: Microsc. Microanal
• 作者: Hideyuki Nakanishi;川端友人・菊田郁夫・瀬川浩代・中西英行・則末智久・宮田貴章;中西英行・川端友人・菊田郁夫・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;内藤康彬・松本郁子・中西英行・則末智久・宮田貴章;Hideyuki Nakanishi;松本郁子・内藤康彬・中西英行・則末智久・宮田貴章;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;中西英行;中西英行;中西英行;中西英行・菊田郁夫・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;菊田郁夫・中西英行・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;中西英行;中西英行;K. Fukuda and K. Kumagai;K. Kumagai and T. Sekiguchi
• 通讯作者: K. Kumagai and T. Sekiguchi

走査電子顕微鏡法における二次電子検出器のエネルギーアクセプタンス推定

扫描电子显微镜中二次电子探测器的能量接受度估计

• 发表时间: 2014
• 作者: Hideyuki Nakanishi;川端友人・菊田郁夫・瀬川浩代・中西英行・則末智久・宮田貴章;中西英行・川端友人・菊田郁夫・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;内藤康彬・松本郁子・中西英行・則末智久・宮田貴章;Hideyuki Nakanishi;松本郁子・内藤康彬・中西英行・則末智久・宮田貴章;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;中西英行;中西英行;中西英行;中西英行・菊田郁夫・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;菊田郁夫・中西英行・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;中西英行;中西英行;K. Fukuda and K. Kumagai;K. Kumagai and T. Sekiguchi;横田幸恵,田中拓男;熊谷和博,関口隆史;Y. Yokota,T. Tanaka;熊谷和博
• 通讯作者: 熊谷和博

Si基板上の組成傾斜をもつ金属薄膜の二次電子像コントラスト形成

Si基片上成分梯度金属薄膜二次电子图像对比形成

• 发表时间: 2013
• 作者: Chiho Kataoka-Hamai;Mahoko Higuchi;熊谷和博,関口隆史
• 通讯作者: 熊谷和博,関口隆史

低エネルギー損失電子によるTiO2ナノ薄膜観察とその像形成

使用低能量损失电子的 TiO2 纳米薄膜观察和成像

• 发表时间: 2014
• 作者: K. Kumagai;熊谷和博，関口隆史
• 通讯作者: 熊谷和博，関口隆史

Dot-Like Formation of Metal Nanocrystals from Exfoliated Ruthenate Nanosheets

从剥离的钌酸盐纳米片中形成点状金属纳米晶体

• DOI: 10.1380/ejssnt.2014.97
• 发表时间: 2014
• 期刊: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
• 影响因子: 0.7
• 作者: Hideyuki Nakanishi;川端友人・菊田郁夫・瀬川浩代・中西英行・則末智久・宮田貴章;中西英行・川端友人・菊田郁夫・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;内藤康彬・松本郁子・中西英行・則末智久・宮田貴章;Hideyuki Nakanishi;松本郁子・内藤康彬・中西英行・則末智久・宮田貴章;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;Hideyuki Nakanishi;中西英行;中西英行;中西英行;中西英行・菊田郁夫・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;菊田郁夫・中西英行・瀬川浩代・則末智久・宮田貴章;中西英行;中西英行;K. Fukuda and K. Kumagai
• 通讯作者: K. Fukuda and K. Kumagai