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Development of wide gap semiconductor pixel detector for light dark matter search

Development of wide gap semiconductor pixel detector for light dark matter search
开发用于光暗物质搜索的宽带隙半导体像素探测器
批准号：
25400308
负责人：
Tanaka Manobu
金额：
$2.58万
依托单位：
High Energy Accelerator Research Organization
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25400308/
关键词：
暗黒物質半導体検出器軽い暗黒物質ワイドギャップ半導体低雑音集積回路ダークマター低質量ダークマター

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LAL,IN2P3(フランス)
拉尔、IN2P3（法国）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
ワイドギャップ半導体検出器
宽禁带半导体探测器
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
ワイドギャップ半導体を使用した半導体検出器の評価
使用宽带隙半导体的半导体探测器的评估
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [田中真伸]
通讯作者： 田中真伸
Research of surface termination mechanism for high density positronium production based on negative electron affinity
  • 批准号：
    19K21882
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $4.16万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Tanaka Manobu
  • 依托单位：
    High Energy Accelerator Research Organization
Research and development of the next generation diamond pixel sensor
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