Development of wide gap semiconductor pixel detector for light dark matter search

开发用于光暗物质搜索的宽带隙半导体像素探测器

基本信息

  • 批准号:
    25400308
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
LAL,IN2P3(フランス)
拉尔、IN2P3(法国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
ワイドギャップ半導体検出器
宽禁带半导体探测器
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
ワイドギャップ半導体を使用した半導体検出器の評価
使用宽带隙半导体的半导体探测器的评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中真伸
  • 通讯作者:
    田中真伸
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  • 发表时间:
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    2008
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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