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Novel p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS

Novel p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS
新型p型宽禁带半导体CuxZnyS
批准号：
25420286
负责人：
Ichimura Masaya
金额：
$2.66万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420286/
关键词：
CuZnSワイドギャップp型半導体電気化学堆積光化学堆積ワイドギャップ半導体ヘテロ接合伝導型制御

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DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Ichimura, Mandula, and Y. Kai]
通讯作者： and Y. Kai
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发表时间： 2015
期刊： Thin Solid Films
影响因子： 2.1
作者： [Satoshi Kurai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Yoichi Yamada, M. Ichimura and Y. Maeda]
通讯作者： M. Ichimura and Y. Maeda
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发表时间： 2016
期刊： Transactions of the Materials Research Society of Japan
影响因子： --
作者： [信田真孝, 細川大介, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一, M. Ichimura, Bayingaerdi Tong and M. Ichimura]
通讯作者： Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
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DOI： 10.1002/pssc.201400229
发表时间： 2015
期刊： Physica Status Solidi (c)
影响因子： --
作者： [山本賢宏, 山田知宏, 門谷豊, 和泉亮, M. Ichimura and Y. Maeda]
通讯作者： M. Ichimura and Y. Maeda
共 13 条
    Electrochemically deposited pn-junction solar cells based on iron oxide
    • 批准号：
      18K04232
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.08万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ichimura Masaya
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金