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Novel p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS
新型p型宽禁带半导体CuxZnyS
基本信息
- 批准号：25420286
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Photochemical Deposition of Transparent p-type Alloy CuxZnyS and Its Applicaiton for Heterostructure Photovoltaic Cells
透明p型合金CuxZnyS的光化学沉积及其在异质结构光伏电池中的应用
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ichimura;Mandula;and Y. Kai
- 通讯作者：and Y. Kai
Conduction type of nonstoichiometric alloy semiconductor CuxZnyS deposited by the photochemical deposition method
光化学沉积法沉积的非化学计量合金半导体CuxZnyS的导电类型
- DOI：10.1016/j.tsf.2015.04.071
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Satoshi Kurai;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;and Yoichi Yamada;M. Ichimura and Y. Maeda
- 通讯作者：M. Ichimura and Y. Maeda
Effects of annealing on properties of electrochemically deposited Cu<sub>x</sub>Zn<sub>y</sub>S thin films
退火对电化学沉积Cu<sub>x</sub>Zn<sub>y</sub>S薄膜性能的影响
- DOI：10.14723/tmrsj.41.255
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：信田真孝;細川大介;倉井聡;岡田成仁;只友一行;山田陽一;M. Ichimura;Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
- 通讯作者：Bayingaerdi Tong and M. Ichimura
Fabrication of transparent CuxZnyS/ZnS heterojunction diodes by photochemical deposition
光化学沉积法制备透明 CuxZnyS/ZnS 异质结二极管
- DOI：10.1002/pssc.201400229
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：山本賢宏;山田知宏;門谷豊;和泉亮;M. Ichimura and Y. Maeda
- 通讯作者：M. Ichimura and Y. Maeda
Deposition of p-type wide-gap semiconductor CuxZnyS
p型宽带隙半导体CuxZnyS的沉积
- DOI：10.1063/1.4968253
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：信田真孝;細川大介;倉井聡;岡田成仁;只友一行;山田陽一;M. Ichimura
- 通讯作者：M. Ichimura
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Ichimura Masaya其他文献
Pulse electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films and fabrication of n-Fe-O/p-Fe-O solar cells
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- DOI：
10.35848/1347-4065/abc49c - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Takayanagi Ryohei;Ichimura Masaya - 通讯作者：
Ichimura Masaya
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