Study of Fermi level pinning at metal/germanium interface and its alleviation mechanism
Study of Fermi level pinning at metal/germanium interface and its alleviation mechanism
金属/锗界面费米能级钉扎及其缓解机制研究
批准号：
25420320
负责人：
Nishimura Tmonori
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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「界面ダイポール密度の制御による金属/Ge界面のフェルミレベルピンニング緩和の試み」
“尝试通过控制界面偶极子密度来减轻金属/Ge界面的费米能级钉扎”
“尝试通过控制界面偶极子密度来减轻金属/Ge界面的费米能级钉扎”
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西村 知紀, 矢嶋 赳彬, 鳥海 明]
通讯作者：
鳥海 明
"Atomically flat planarization of Ge(100), (110), and (111) surfaces in H2 annealing. "
“H2 退火中 Ge(100)、(110) 和 (111) 表面的原子平坦化。”
“H2 退火中 Ge(100)、(110) 和 (111) 表面的原子平坦化。”
DOI：
10.7567/apex.7.051301
发表时间：
2014
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Tomonori Nishimura, Shoichi Kabuyanagi, Wenfeng Zhang, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, and Akira Toriumi]
通讯作者：
and Akira Toriumi
Design of Metals for Fermi-level Pinning Modulation at Ge/Metal Interfaces
Ge/金属界面费米能级钉扎调制的金属设计
Ge/金属界面费米能级钉扎调制的金属设计
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi]
通讯作者：
and A. Toriumi
"Study of Strong Fermi Level Pinning at Metal/Germanium Interface Based on the Impact of Ultra-thin Insulator Insertion"
“基于超薄绝缘体插入影响的金属/锗界面强费米能级钉扎研究”
“基于超薄绝缘体插入影响的金属/锗界面强费米能级钉扎研究”
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, T. Nakamura, and A. Toriumi]
通讯作者：
and A. Toriumi
"Atomically Flat Germanium (111) Surface by Hydrogen Annealing"
“通过氢退火实现原子平坦的锗 (111) 表面”
“通过氢退火实现原子平坦的锗 (111) 表面”
DOI：
10.1149/05809.0201ecst
发表时间：
2013
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, S. Kabuyanagi, C. H. Lee, T. Yajima, K. Nagashio and A. Toriumi]
通讯作者：
K. Nagashio and A. Toriumi
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