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Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operation
具有晶体管和存储器操作的高性能无转移石墨烯器件的研究
基本信息
- 批准号：16K06281
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Thermal chemical vapor deposition graphene directly synthesized on the nickel oxide film
热化学气相沉积在氧化镍薄膜上直接合成石墨烯
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kenmotsu;K. Ichikawa;H. Akamatsu and Y. Suda
- 通讯作者：H. Akamatsu and Y. Suda
酸化膜上への熱 CVDグラフェンの合成と酸素導入時間の影響
氧化膜上热CVD石墨烯的合成及氧气引入时间的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：劒持進次郎;市川和典;赤松浩;須田善行
- 通讯作者：須田善行
Oxygen concentration dependence of transfer free graphene thin film transistor
无转移石墨烯薄膜晶体管的氧浓度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Ichikawa;S. Tateishi and H. Akamatsu
- 通讯作者：S. Tateishi and H. Akamatsu
トンネル効果を利用した酸化膜上へのグラフェンの合成
利用隧道效应在氧化膜上合成石墨烯
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吉武 道子;塩見 俊樹;木下 健太郎;岸田 悟;竹内誠，武藤浩行，藤田直幸;堀谷真理愛， 市川和典， 赤松浩
- 通讯作者：堀谷真理愛， 市川和典， 赤松浩
アセチレンの分解効率の向上による熱CVDグラフェンの低温合成
通过提高乙炔分解效率低温合成热CVD石墨烯
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：廣瀬将人;田橋正浩;高橋誠;吉野賢二;後藤英雄;谷川直樹 市川和典 赤松浩
- 通讯作者：谷川直樹 市川和典 赤松浩
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Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defects
研究阐明通过电子陷阱对缺陷进行操作的石墨烯存储器的机理和性能改进
- 批准号：
25871039 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
二次元半導体のヘテロ接合を用いた高性能P型トンネルトランジスタの開発
利用二维半导体异质结开发高性能P型隧道晶体管
- 批准号：
24K17584 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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- 资助金额：
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- 批准号：
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- 资助金额：
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- 批准号：
22KJ2628 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
原子層ヘテロ接合を用いたヘリカル超伝導体の実証と機能創出
使用原子层异质结的螺旋超导体的演示和功能创建
- 批准号：
23KJ1502 - 财政年份：2023
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低次元物質/強誘電体ヘテロ接合を用いた新メカニズム太陽電池の創出
使用低维材料/铁电异质结创建新机制太阳能电池
- 批准号：
23H01451 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノ結晶GaN/CsPbBr3-xClxヘテロ接合のキャリア輸送特性の解明
阐明纳米晶 GaN/CsPbBr3-xClx 异质结的载流子传输特性
- 批准号：
22K04195 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用
化合物半导体横向异质结的制备及其在电子器件中的应用
- 批准号：
21H01384 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高配向CNT結晶膜で明らかにするCNT-Siヘテロ接合太陽電池の発電メカニズム
利用高取向CNT晶体薄膜揭示CNT-Si异质结太阳能电池的发电机制
- 批准号：
21K04141 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)