Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operation
Investigation of high performance transfer free graphene device with transistor and memory operation
具有晶体管和存储器操作的高性能无转移石墨烯器件的研究
批准号：
16K06281
负责人：
Ichikawa Kazunori
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Thermal chemical vapor deposition graphene directly synthesized on the nickel oxide film
热化学气相沉积在氧化镍薄膜上直接合成石墨烯
热化学气相沉积在氧化镍薄膜上直接合成石墨烯
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Kenmotsu, K. Ichikawa, H. Akamatsu and Y. Suda]
通讯作者：
H. Akamatsu and Y. Suda
酸化膜上への熱 CVDグラフェンの合成と酸素導入時間の影響
氧化膜上热CVD石墨烯的合成及氧气引入时间的影响
氧化膜上热CVD石墨烯的合成及氧气引入时间的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[劒持進次郎, 市川和典, 赤松浩, 須田善行]
通讯作者：
須田善行
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Ichikawa, S. Tateishi and H. Akamatsu]
通讯作者：
S. Tateishi and H. Akamatsu
トンネル効果を利用した酸化膜上へのグラフェンの合成
利用隧道效应在氧化膜上合成石墨烯
利用隧道效应在氧化膜上合成石墨烯
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉武 道子, 塩見 俊樹, 木下 健太郎, 岸田 悟, 竹内誠，武藤浩行，藤田直幸, 堀谷真理愛， 市川和典， 赤松浩]
通讯作者：
堀谷真理愛， 市川和典， 赤松浩
アセチレンの分解効率の向上による熱CVDグラフェンの低温合成
通过提高乙炔分解效率低温合成热CVD石墨烯
通过提高乙炔分解效率低温合成热CVD石墨烯
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[廣瀬将人, 田橋正浩, 高橋誠, 吉野賢二, 後藤英雄, 谷川直樹 市川和典 赤松浩]
通讯作者：
谷川直樹 市川和典 赤松浩
共 13 条
Investigation of elucidating a mechanism and the improvement of a performance in graphene memory which operate by electron trap to defects
-
批准号：25871039
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.91万
-
财政年份：2013
-
负责人：Ichikawa Kazunori
-
依托单位：
海外基金