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Growth and bandgap controll of Cu2ZnSn(S, Se)4 single crystal grown by traveling heater method
移动加热器法生长Cu2ZnSn(S,Se)4单晶的生长及带隙控制
基本信息
- 批准号：26289378
- 负责人：
- 金额：$ 5.57万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Copper Zinc Tin Sulfide-Based Thin Film Solar Cells
铜锌锡硫化物基薄膜太阳能电池
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永冨 雄太;建山 知輝;坂口 大成;山本 圭介;王 冬;中島 寛;S. Adachi
- 通讯作者：S. Adachi
Na-doped Cu2ZnSnS4 single crystal grown by traveling-heater method
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2016.08.014
- 发表时间：2016-11-01
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Nagaoka, Akira;Scarpulla, Michael A.;Yoshino, Kenji
- 通讯作者：Yoshino, Kenji
Growth and transport properties of CZTSSe single crystal
CZTSSe单晶的生长和输运特性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Nagaoka;M. A. Scarpulla1;Y. Nose;K. Yoshino
- 通讯作者：K. Yoshino
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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