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Study of structure modification of boron nitride films by plasma exposure - the effect of ion energy distribution function

Study of structure modification of boron nitride films by plasma exposure - the effect of ion energy distribution function
等离子体曝光氮化硼薄膜结构改性研究——离子能量分布函数的影响
批准号：
15H04159
负责人：
Eriguchi Koji
金额：
$10.32万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H04159/
关键词：
プラズマ結晶・組成制御ナノ材料材料加工・処理

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Coatings of Boron Nitride Films for Vacuum Tribology by Reactive Plasma Assisted Coating (RePAC) Technology - Friction coefficient lowering under vacuum -
采用反应等离子体辅助涂层 (RePAC) 技术进行真空摩擦学氮化硼薄膜涂层 - 降低真空下的摩擦系数 -
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Noma, K. Eriguchi, M. Yamashita, S. Hasegawa]
通讯作者： S. Hasegawa
Time-dependent dielectric breakdown characterizations of interlayer dielectric damage induced during plasma processing
等离子体处理过程中引起的层间介电损伤的时间相关介电击穿特性
DOI： 10.7567/jjap.56.06hd03
发表时间： 2017
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Kengo Shinohara, Kentaro Nishida, Kouichi Ono, and Koji Eriguchi]
通讯作者： and Koji Eriguchi
Defect generation in electronic devices under plasma exposure: Plasma-induced damage
DOI： 10.7567/jjap.56.06ha01
发表时间： 2017-05
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [K. Eriguchi]
通讯作者： K. Eriguchi
反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN 膜の構造と化学結合状態分析
反应等离子体辅助沉积法BN薄膜的结构和化学键态分析
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [長谷川繁彦, 野間正男, 山下満, 江利口浩二]
通讯作者： 江利口浩二
共 14 条
    Effects of dielectric loss mechanisms at electron trapping sites on damage recovery and reliability improvement in thin films
    • 批准号：
      21K18875
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Eriguchi Koji
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Design of sp-bonds in functional BN films by arc discharge with independent parameter control
    • 批准号：
      20H02481
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.56万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Eriguchi Koji
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Study of defect generation processes in nano-scale devices and the deign methodology based on stochastic theory
    • 批准号：
      16K14405
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Eriguchi Koji
    • 依托单位：
      Kyoto University