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Development of next generation mist CVD enabling atomic level control & development of oxide quantum devices
开发下一代雾气 CVD 实现原子级控制
基本信息
- 批准号：15H05421
- 负责人：
- 金额：$ 13.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Physics on development of open-air atmospheric pressure thin film fabrication technique using mist droplets: Control of precursor flow
- DOI：10.7567/jjap.53.05ff08
- 发表时间：2014-05-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Kawaharamura, Toshiyuki
- 通讯作者：Kawaharamura, Toshiyuki
Fabricating High Quality YIG Thin Film by Mist CVD under Open-Air Atmospheric Pressure
露天常压下雾气 CVD 制备高质量 YIG 薄膜
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：L. Liu;Y. Suwa;Y. Nakasone;M. Nishi;E.K.C. Pradeep;T. Kawaharamura
- 通讯作者：T. Kawaharamura
Development of α-Ga2O3-based high power devices
α-Ga2O3基高功率器件的开发
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Giang T. Dang;Toshiyuki Kawaharamura,
- 通讯作者：Toshiyuki Kawaharamura,
Fabrication of Y2O3 thin film by mist CVD
雾气CVD法制备Y2O3薄膜
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Li Liu;M. Nishi;E.K.C. Pradeep;G.T. Dang;Y. Suwa;T. Kawaharamura
- 通讯作者：T. Kawaharamura
ミストCVDにより作製した二硫化モリブデン(MoS2)薄膜の特性評価
雾气CVD制备二硫化钼(MoS2)薄膜的特性评价
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤 翔太;坂本 雅仁;新田 紀子;劉 麗;E. K. C. プラディープ;鄧 太 江;川原村 敏幸
- 通讯作者：川原村 敏幸
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Kawaharamura Toshiyuki其他文献
走査ダイヤモンドNV中心プローブを用いた局所磁気イメージング
使用扫描金刚石 NV 中心探头进行局部磁成像
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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Conductive Si-doped α-(AlxGa1-x)2O3 thin films with the bandgaps up to 6.22 eV
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10.1063/5.0026095 - 发表时间：
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- 影响因子：1.6
- 作者：
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- 影响因子：1.5
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Kawaharamura Toshiyuki
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- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Rutthongjan Phimolphan;Liu Li;Nishi Misaki;Sakamoto Masahito;Sato Shota;Pradeep Ellawala K C;Dang Giang T;Kawaharamura Toshiyuki;安 東秀 - 通讯作者：
安 東秀
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Basic behavior analysis of the Leidenfrost droplet toward the functional thin film fabrication on the three-dimensional object
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- 批准号：
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- 资助金额：
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