Development of next generation mist CVD enabling atomic level control & development of oxide quantum devices
Development of next generation mist CVD enabling atomic level control & development of oxide quantum devices
开发下一代雾气 CVD 实现原子级控制
批准号：
15H05421
负责人：
Kawaharamura Toshiyuki
金额：
$13.56万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
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Development of α-Ga2O3-based high power devices
α-Ga2O3基高功率器件的开发
α-Ga2O3基高功率器件的开发
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Giang T. Dang, Toshiyuki Kawaharamura,]
通讯作者：
Toshiyuki Kawaharamura,
ミストCVDにより作製した二硫化モリブデン(MoS2)薄膜の特性評価
雾气CVD制备二硫化钼(MoS2)薄膜的特性评价
雾气CVD制备二硫化钼(MoS2)薄膜的特性评价
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤 翔太, 坂本 雅仁, 新田 紀子, 劉 麗, E. K. C. プラディープ, 鄧 太 江, 川原村 敏幸]
通讯作者：
川原村 敏幸
Fabrication of Y2O3 thin film by mist CVD
雾气CVD法制备Y2O3薄膜
雾气CVD法制备Y2O3薄膜
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Li Liu, M. Nishi, E.K.C. Pradeep, G.T. Dang, Y. Suwa, T. Kawaharamura]
通讯作者：
T. Kawaharamura
Fabricating High Quality YIG Thin Film by Mist CVD under Open-Air Atmospheric Pressure
露天常压下雾气 CVD 制备高质量 YIG 薄膜
露天常压下雾气 CVD 制备高质量 YIG 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[L. Liu, Y. Suwa, Y. Nakasone, M. Nishi, E.K.C. Pradeep, T. Kawaharamura]
通讯作者：
T. Kawaharamura
DOI：
10.7567/jjap.53.05ff08
发表时间：
2014-05-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
1.5
作者：
[Kawaharamura, Toshiyuki]
通讯作者：
Kawaharamura, Toshiyuki
共 59 条
Basic behavior analysis of the Leidenfrost droplet toward the functional thin film fabrication on the three-dimensional object
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批准号：26630395
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2014
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负责人：Kawaharamura Toshiyuki
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依托单位：
海外基金