Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
高密度硅基量子点的取向控制和电耦合
批准号：
24246054
负责人：
SEIICHI Miyazaki
金额：
$30.04万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application
用于光电应用的混合纳米点浮栅的形成和表征
用于光电应用的混合纳米点浮栅的形成和表征
DOI：
10.1557/opl.2013.272
发表时间：
2013
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
[矢島悠貴, 大濱諒子, 西田明央, 藤川紗千恵, 藤代博記, 田坂裕司，木村拓文，Richard Rapberger，大石義彦，村井祐一，芳田泰基, S. Miyazaki]
通讯作者：
S. Miyazaki
導電性AFM探針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜の局所伝導評価
使用导电 AFM 尖端对 Ni 纳米点上形成的高度结晶 Ge:H 薄膜进行局部传导评估
使用导电 AFM 尖端对 Ni 纳米点上形成的高度结晶 Ge:H 薄膜进行局部传导评估
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Yoshimura, S. Murakami, K. Kariya, and N. Fujimura, 明賀聖慈, 高金]
通讯作者：
高金
FePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価
FePt合金纳米点的高密度形成及磁化性能评价
FePt合金纳米点的高密度形成及磁化性能评价
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[満行優介, 張海, 牧原克典, 大田晃生, 徳岡良浩, 加藤剛志, 岩田聡, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測
使用光电子产率光谱测量 SiO2/SiC 界面的电子态
使用光电子产率光谱测量 SiO2/SiC 界面的电子态
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大田晃生, 竹内大智, グェンスァンチュン, 牧原克典, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成
利用远程氢等离子体支持在 SiO2 上高密度形成硅化铁点
利用远程氢等离子体支持在 SiO2 上高密度形成硅化铁点
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[張海, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
共 109 条
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