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Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
高密度硅基量子点的取向控制和电耦合
基本信息
- 批准号：24246054
- 负责人：
- 金额：$ 30.04万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（121）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成
利用远程氢等离子体支持在 SiO2 上高密度形成硅化铁点
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：張海;牧原克典;大田晃生;池田弥央;宮崎誠一
- 通讯作者：宮崎誠一
High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma
远程氢等离子体诱导高密度形成锰和锰锗化物纳米点
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Wen;K. Makihara;A. Ohta;M. Ikeda and S. Miyazaki
- 通讯作者：M. Ikeda and S. Miyazaki
Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots
自对准硅基量子点电致发光的瞬态特性
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Suzuki;K. Makihara;M. Ikeda and S. Miyazaki
- 通讯作者：M. Ikeda and S. Miyazaki
導電性AFM探針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜の局所伝導評価
使用导电 AFM 尖端对 Ni 纳米点上形成的高度结晶 Ge:H 薄膜进行局部传导评估
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Yoshimura;S. Murakami;K. Kariya;and N. Fujimura;明賀聖慈;高金
- 通讯作者：高金
光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測
使用光电子产率光谱测量 SiO2/SiC 界面的电子态
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大田晃生;竹内大智;グェンスァンチュン;牧原克典;宮崎誠一
- 通讯作者：宮崎誠一
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