Development of plasma sputtering device for paramagnetic and low melting point metal target
Development of plasma sputtering device for paramagnetic and low melting point metal target
顺磁低熔点金属靶材等离子溅射装置的研制
批准号：
16K05000
负责人：
Motomura Taisei
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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高密度窒素プラズマ源を用いた 液体金属スパッタリング装置
采用高密度氮等离子体源的液态金属溅射设备
采用高密度氮等离子体源的液态金属溅射设备
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[本村大成, 田原竜夫]
通讯作者：
田原竜夫
Plasma sputtering device using convergent magnetic field for GaN film production
利用会聚磁场制备GaN薄膜的等离子体溅射装置
利用会聚磁场制备GaN薄膜的等离子体溅射装置
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西田智就, 木下郁雄, 石井純太郎, Ikuo Kinoshita, Ikuo Kinoshita, T. Motomura and T. Tabaru, T. Motomura and T. Tabaru, T. Motomura and T. Tabaru]
通讯作者：
T. Motomura and T. Tabaru
電磁場を活用したプラズマプロセス装置の研究
利用电磁场的等离子体处理设备的研究
利用电磁场的等离子体处理设备的研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[本村大成, 田原竜夫]
通讯作者：
田原竜夫
High-density convergent plasma sputtering device for a liquid metal target using an unheated glass plate
使用未加热玻璃板的液态金属靶材的高密度会聚等离子体溅射装置
使用未加热玻璃板的液态金属靶材的高密度会聚等离子体溅射装置
DOI：
10.1063/1.5025093
发表时间：
2018
期刊：
Review of Scientific Instruments
影响因子：
1.6
作者：
[西田智就, 木下郁雄, 石井純太郎, Ikuo Kinoshita, Ikuo Kinoshita, T. Motomura and T. Tabaru, T. Motomura and T. Tabaru]
通讯作者：
T. Motomura and T. Tabaru
高密度収束プラズマを用いた 液体金属スパッタリング装置
使用高密度聚焦等离子体的液态金属溅射设备
使用高密度聚焦等离子体的液态金属溅射设备
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[本村大成, 田原竜夫]
通讯作者：
田原竜夫
共 9 条
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