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Self-Aligned Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFTs on Glass Substrate

玻璃基板上的自对准四端子低温多晶硅 TFT

基本信息

批准号：
25420339
负责人：
Hara Akito
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Tohoku Gakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Mechanism of formation of ultrashallow thermal donors in carbon-doped oxygen-rich monocrystalline silicon preannealed to introduce hydrogen

预退火引入氢的碳掺杂富氧单晶硅中超浅热施主的形成机制

DOI：
10.7567/jjap.54.101302
发表时间：
2015
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys
影响因子：
0
作者：
R. Hattori;K. Miyamoto;H. Kanaya;S. Tsukamoto;H. Ishinishi;A. Hara and T. Awano
通讯作者：
A. Hara and T. Awano

High-Performance Top-Gate and Double-Gate Low-Temperature Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Fabricated Using Continuous-Wave-Laser Lateral Crystallization on a Glass Substrate

采用连续波激光横向结晶在玻璃基板上制造的高性能顶栅和双栅低温多晶硅薄膜晶体管

DOI：
10.1149/06701.0079ecst
发表时间：
2015
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
A. Hara;T. Meguro;S. Sasaki;H. Ohsawa
通讯作者：
H. Ohsawa

（招待講演）大粒径薄膜poly-Siを利用したガラス上低温poly-Si TFTの高性能化

（特邀报告）利用大晶粒薄膜多晶硅提高玻璃上低温多晶硅TFT的性能

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report　114, No.1
影响因子：
0
作者：
原明人;加茂慎哉;佐々木駿,目黒達也、佐藤旦、北原那紀
通讯作者：
佐々木駿,目黒達也、佐藤旦、北原那紀

Self-Aligned Planar Metal Double- Gate Junctionless P-Channel Low- Temperature Poly-Ge TFTs with High-K Gate Dielectric on Glass Substrate

玻璃基板上具有高 K 栅极电介质的自对准平面金属双栅极无结 P 沟道低温多晶硅 TFT

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuya Nishimura;Takuya Nakashima;and Akito Hara
通讯作者：
and Akito Hara

高誘電率膜を有するガラス基板上の平面型メタルダブルゲートジャンクションレスp-ch低温poly-Ge TFT

玻璃基板上高介电常数薄膜平面金属双栅无结 p-ch 低温多晶硅 TFT

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
西村勇哉;仁部翔太;原明人
通讯作者：
原明人

DOI：
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作者：
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作者：
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Hara Akito其他文献

Self-Aligned Planar Metal Double-Gate Cu-MIC Poly-Ge TFTs Fabricated at 300°C on a Glass Substrate

在 300°C 玻璃基板上制造的自对准平面金属双栅极 Cu-MIC 多晶硅 TFT

DOI：
10.1002/sdtp.12032
发表时间：
2017
期刊：
SID Symposium Digest of Technical Papers
影响因子：
0
作者：
Utsumi Hiroki;Sasaki Taisei;Sekiguchi Shunya;Takeuchi Shoya;Ohsawa Hiroki;Hara Akito
通讯作者：
Hara Akito

Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric

具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT

DOI：
10.23919/am-fpd.2019.8830606
发表时间：
2019
期刊：
2019 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Suzuki Hitoshi;Utsumi Hiroki;Miyazaki Ryo;Kitahara Kuninori;Ryo Miyazaki and Akito Hara
通讯作者：
Ryo Miyazaki and Akito Hara

Four-Terminal Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with High-k HfO2 Dielectric on Glass Substrate

玻璃基板上具有高 k HfO2 电介质的四端子多晶硅薄膜晶体管

DOI：
10.23919/am-fpd52126.2021.9499186
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Explore, 2021 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
影响因子：
0
作者：
Kudo Kenta;Kimura Jyunki;Suzuki Takumi;Nishiguchi Naoki;Hara Akito
通讯作者：
Hara Akito

Evaluation of Polycrystalline-Si1-XGex Thin-Film Transistors Grown Laterally on a Glass Substrate Using a Continuous-Wave Laser

使用连续波激光在玻璃基板上横向生长的多晶硅1-XGex薄膜晶体管的评估

DOI：
10.1149/10906.0059ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Sagawa Tatsuya;Kusunoki Kotaro;Kitahara Kuninori
通讯作者：
Kitahara Kuninori

Effects of germanium composition on performance of continuous-wave laser lateral crystallization n-channel polycrystalline silicon-germanium thin-film transistors on glass substrate

锗成分对玻璃基板连续波激光横向晶化n沟道多晶硅锗薄膜晶体管性能的影响

DOI：
10.23919/am-fpd52126.2021.9499190
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Explore, 2021 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
影响因子：
0
作者：
Hara Akito;Kitahara Kuninori
通讯作者：
Kitahara Kuninori