Self-Aligned Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFTs on Glass Substrate
Self-Aligned Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFTs on Glass Substrate
玻璃基板上的自对准四端子低温多晶硅 TFT
批准号：
25420339
负责人：
Hara Akito
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Mechanism of formation of ultrashallow thermal donors in carbon-doped oxygen-rich monocrystalline silicon preannealed to introduce hydrogen
预退火引入氢的碳掺杂富氧单晶硅中超浅热施主的形成机制
预退火引入氢的碳掺杂富氧单晶硅中超浅热施主的形成机制
DOI：
10.7567/jjap.54.101302
发表时间：
2015
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys
影响因子：
--
作者：
[R. Hattori, K. Miyamoto, H. Kanaya, S. Tsukamoto, H. Ishinishi, A. Hara and T. Awano]
通讯作者：
A. Hara and T. Awano
High-Performance Top-Gate and Double-Gate Low-Temperature Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Fabricated Using Continuous-Wave-Laser Lateral Crystallization on a Glass Substrate
采用连续波激光横向结晶在玻璃基板上制造的高性能顶栅和双栅低温多晶硅薄膜晶体管
采用连续波激光横向结晶在玻璃基板上制造的高性能顶栅和双栅低温多晶硅薄膜晶体管
DOI：
10.1149/06701.0079ecst
发表时间：
2015
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[A. Hara, T. Meguro, S. Sasaki, H. Ohsawa]
通讯作者：
H. Ohsawa
（招待講演）大粒径薄膜poly-Siを利用したガラス上低温poly-Si TFTの高性能化
（特邀报告）利用大晶粒薄膜多晶硅提高玻璃上低温多晶硅TFT的性能
（特邀报告）利用大晶粒薄膜多晶硅提高玻璃上低温多晶硅TFT的性能
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report 114, No.1
影响因子：
--
作者：
[原明人, 加茂慎哉, 佐々木駿,目黒達也、佐藤旦、北原那紀]
通讯作者：
佐々木駿,目黒達也、佐藤旦、北原那紀
Self-Aligned Planar Metal Double- Gate Junctionless P-Channel Low- Temperature Poly-Ge TFTs with High-K Gate Dielectric on Glass Substrate
玻璃基板上具有高 K 栅极电介质的自对准平面金属双栅极无结 P 沟道低温多晶硅 TFT
玻璃基板上具有高 K 栅极电介质的自对准平面金属双栅极无结 P 沟道低温多晶硅 TFT
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuya Nishimura, Takuya Nakashima, and Akito Hara]
通讯作者：
and Akito Hara
高誘電率膜を有するガラス基板上の平面型メタルダブルゲートジャンクションレスp-ch低温poly-Ge TFT
玻璃基板上高介电常数薄膜平面金属双栅无结 p-ch 低温多晶硅 TFT
玻璃基板上高介电常数薄膜平面金属双栅无结 p-ch 低温多晶硅 TFT
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西村勇哉, 仁部翔太, 原明人]
通讯作者：
原明人
共 53 条
Hybrid CMOS comprising four-terminal poly-IV TFTs on a glass substrate
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批准号：16K06311
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2016
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负责人：Hara Akito
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依托单位：
国内基金
海外基金
有机发光显示屏中poly-Si TFT的关键技术研究
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批准号：60437030
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项目类别：重点项目
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资助金额：180.0万元
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批准年份：2004
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负责人：吴春亚
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依托单位：