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Development of single-crystalline silicon CMOS technology on flexible substrate by atomospheric pressure thermal plasma jet crystallizetion

Development of single-crystalline silicon CMOS technology on flexible substrate by atomospheric pressure thermal plasma jet crystallizetion
大气压热等离子体射流结晶开发柔性衬底单晶硅CMOS技术
批准号：
16H04334
负责人：
Higashi Seiichiro
金额：
$5.32万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H04334/
关键词：
結晶成長大気圧プラズマ優先配向電気電子材料シリコン電子デバイス・機器

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DOI： 10.7567/jjap.57.06jh01
发表时间： 2018
期刊： Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [H. Hanafusa, R. Nakashima, W. Nakano, and S. Higashi]
通讯作者： and S. Higashi
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发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Mizukawa, H. Hanafusa, and S. Higashi]
通讯作者： and S. Higashi
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发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： and T. Nakatani
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DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Hanafusa, S. Higashi]
通讯作者： S. Higashi
共 23 条
    Atmospheric pressure thermal plasma jet generation by MEMS integration
    • 批准号：
      20K20911
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Higashi Seiichiro
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    Study on Hetero Integration Technology of Devices on Flexible Substrate
    • 批准号：
      15K13976
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Higashi Seiichiro
    • 依托单位：
      Hiroshima University
    海外基金