Study on Hetero Integration Technology of Devices on Flexible Substrate

柔性基板上器件异质集成技术研究

基本信息

  • 批准号：
    15K13976
  • 负责人：
    Higashi Seiichiro
  • 金额：
    $ 2.33万
  • 依托单位：
    Hiroshima University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（15）
专著数量（0）
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专利数量（0）
中空構造SOI層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とプラスチック基板上での単結晶シリコンTFTと論理回路の作製
使用空心SOI层提高低温转移的转移良率并在塑料基板上制造单晶硅TFT和逻辑电路
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    水上 隆達;竹島 真治;山下 知徳;東 清一郎
  • 通讯作者：
    東 清一郎
中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT と論理回路の作製
利用空心SOI层提高低温转移的转移良率并在柔性基板上制造单晶硅TFT和逻辑电路
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    水上 隆達;竹島真治;山下知徳;東清一郎
  • 通讯作者：
    東清一郎
中空構造 SOI 層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化
使用中空结构SOI层的柔性基板转移技术中的图案小型化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    竹島 真治;水上隆達;山下知徳;花房宏明;東清一郎
  • 通讯作者：
    東清一郎
Formation of Single Crystalline Silicon with Midair Cavity for Meniscus Force-Mediated　Local Layer Transfer and Fabrication of High-Performance MOSFETs on Insulator
形成具有半空气腔的单晶硅，用于弯液面力介导的局部层转移以及绝缘体上高性能 MOSFET 的制造
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Akazawa;S. Takeshima;A. Nakagawa;K. Hiramatsu and S. Higashi
  • 通讯作者：
    K. Hiramatsu and S. Higashi
Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass
形成具有半空气腔的绝缘体上硅层，用于弯月面力介导的层转移和玻璃上的高性能晶体管制造
  • DOI：
    10.7567/jjap.54.086503
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    Jpn. J. Appl. Phys.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Akazawa;K. Sakaike;and S. Higashi
  • 通讯作者：
    and S. Higashi
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