Theoretical and experimental investigation of advanced SiGe HBTs under extreme operating conditions and compact model development

极端工作条件下先进 SiGe HBT 的理论和实验研究以及紧凑模型开发

• 批准号: 21377206
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Michael Schröter
• 金额: --
• 依托单位: Professur für Elektronische Bauelemente und Integrierte Schaltungen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/21377206?language=en
• 关键词: Theoretical; experimental; investigation; advanced; SiGe

Es wird erwartet, dass innerhalb der nächsten Jahre die Herstellung von Silizium-Germanium (SiGe) Heterojunction-Bipolartransistoren (HBTs) mit Arbeitsfrequenzen von über 200GHz in Silizium-BiCMOS Technologien Serienreife erlangen wird, die die Realisierung von Hochfrequenz (HF) Anwendungen wie z.B. 60GHz WLAN-, 40/80/160Gb/s Glasfaser- und 24/77GHz Radar- Systeme ermöglichen werden. Wie die bisherige Erfahrung zeigt, stellen die Entwicklung und die damit verbundenen Kosten von HF Frontend-Schaltungsmodulen selbst bei den heute noch relativ geringen Frequenzen von 2..10GHz einen entscheidenden Engpass bei der Realisierung eines HF-Systems dar. Aus den mittlerweile extrem angestiegenen Kosten der Maskenherstellung (z.B. 1 Mio US$ für 0,11 (m CMOS) wird leicht einsichtig, dass aus Gründen der Kosteneinsparung Modelle für die Simulation von Schaltungen (so genannte Kompaktmodelle) von zunehmender Wichtigkeit sind, die in sehr genauer Weise die Bauelemente-Kennlinien für einen weiten Arbeits- , Frequenz-, Temperatur- und Geometriebereich beschreiben. Das Hauptziel dieses Projektes ist die Entwicklung und Bereitstellung vollständiger geometrieskalierbarer physikalischer Kompaktmodelle, die für alle Aspekte des Entwurfs von HF-Analogschaltungen geeignet sind, einschließlich Optimierung. Dabei liegt das Gewicht auf Si/SiGe HBTs mit maximaler Grenzfrequenz von weit über 150GHz, die in fortschrittlichen BiCMOS-Technologien gefertigt werden. Wichtig ist hier, ein tiefes Verständnis der inneren physikalischen und der parasitären Effekte zu erlangen, die unter extremen Arbeitsbedingungen auftreten.

近年来，在硅-BiCMOS工艺系列中，工作频率为200 GHz的硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）的研制，是埃尔兰根高频（HF）的实现。60 GHz WLAN-，40/80/160 Gb/s宽带- und 24/77 GHz雷达- Systeme ermöglichen韦尔登.随着高频前端Schaltungsmodulen的发展，高频前端Schaltungsmodulen的开发和使用成本的增加，今天的频率相对于2.. 10 GHz是实现HF系统的一种有效通道。Aus den mittlerweile extreme angestiegenen Kosten der Maskenherstellung（z.B. 100万美元用于0.11（m CMOS）将是一个巨大的数字，这是一个基于Kosteneinsparung Model für die Simulation von Schaltungen（so genannte Kompaktmodelle）von zunehmender Wichtigkeit sind，die in sehr genauer Weise die Bauelemente-Kennlinien für einen Arbeits-，Frequenz-，Temperatur- und Geometriebereich beschreiben. Das Hauptschdieses Projektes ist die Entwicklung und Bereitstellung vollständiger geometrieskalierbarer physicalischer Kompaktmodelle，die für alle Aspekte des Entwurfs von HF-Analogschaltungen geignet sind，einschließlich Optimierung.最大工作频率为150 GHz的Si/SiGe HBT器件是韦尔登CMOS技术的重要组成部分。Wichtig ist，ein tiefes Verständnis der inneren physikalischen und der parasitären Effekte zu埃尔兰根，die unter extremen Arbeitsbedingungen auftreten.