Theoretical and experimental exploration of InP heterojunction bipolar transistor (HBT) characteristics for device and circuit design

用于器件和电路设计的 InP 异质结双极晶体管 (HBT) 特性的理论和实验探索

• 批准号: 110304428
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Michael Schröter
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik (INT)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/110304428?language=en
• 关键词: Theoretical; experimental; exploration; InP; heterojunction

Heterojunction-Bipolartransistören (HBTs) stellen eine attraktive Wahl dar für Anwendungen im Hochfrequenzbereich wie 60GHz WLAN, 40/80/160Gb/s Glasfasersysteme oder 77GHz Kollisionsradar. Speziell solche HBTs, die auf III/V Verbindungshalbleitern basieren, bieten hohe Flexibilität bzgl. der Optimierung des vertikalen Aufbaus. Hier sind vor allem Eigenschaften von Bedeutung, die komplementär zu denen von SiGe HBTs sind, wie z.B. hohe Durchbruchspannung bei hohen Frequenzen oder Kompatibilität mit optoelektronischen Bauelementen. Ziel des Projekte ist es, physikalisch basierte Methoden zur geometrie-skalierbaren Modellierung von InP HBTs zu etablieren. Das Hauptaugenmerk liegt dabei auf der Entwicklung eines kompakten Transistormodells, das sich für den Entwurf und die Optimierung integrierter Schaltungen eignet und dabei gleichzeitig prädiktive Eigenschaften hat. Die Arbeit am Kompaktmodell wird begleitet von zwei kleineren Aufgabenstellungen für die entsprechende numerische Bauelementesimulation und experimentelle Charakterisierung. Es ist geplant, die erhaltenen Modellierungsergebnisse für den Entwurf und die Optimierung schneller Analog/Digital-Wandler zu verwenden, die in einem parallel beantragten Projekt entworfen werden. Diese Zusammenarbeit liefert wichtige Erkenntnisse hinsichtlich der Tauglichkeit des entwickelten Modells für Anwendungen bei höchsten Geschwindigkeiten.

异质结双极晶体管（HBT）是一种用于高频率无线局域网、40/80/160 Gb/s宽带系统或77 GHz微波雷达的有吸引力的器件。特殊的HBTs，在III/V Verbindungshalbleitern basieren，bieten hohe hubbilität bzgl。垂直结构的优化。这里是所有的基本特征，SiGe HBT的补充也是如此，如z.B. hohe Durchbruchspannung bei hohen Frequenzen or der Komatibilität mit optoelektronischen Bauelementen.这是一个基于物理学的InP HBT的几何形状建模方法。Has Hauptaugenmerk liegt dabei auf der Entwicklung eines kompakten Transistormodels，das sich für den Entwurf und die Optimierung integrierter Schaltungen eignet und dabei gleichzeitig prädiktive Eigenschaften hat. Die Arbeit am Kompaktmodell wird begleitet von zwei kleineren Aufgabenstellungen für die entsprechende numerische Bauelementesimulation und experimentelle Charakterisierung.这是一个并行工程韦尔登中的一个基本项目，该项目旨在为软件开发和模拟/数字转换器的优化设计提供一种新的方法。这两种方法都是在最大的历史背景下，为人类的生存建立一种新的模型。