Mat of silicon nanowires as a highly efficient thermoelectric material

硅纳米线垫作为高效热电材料

基本信息

  • 批准号：
    17K18976
  • 负责人：
    Inasawa Susumu
  • 金额：
    $ 3.99万
  • 依托单位：
    Tokyo University of Agriculture and Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-06-30 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Experimental and numerical approaches on the effect of gas flow on the formation of tens-square-cm-scale mat of silicon nanowires from SiCl4 and zinc vapor
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2019.05.009
  • 发表时间：
    2019-08
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    S. Inasawa;Kai Inoue
  • 通讯作者：
    S. Inasawa;Kai Inoue
亜鉛還元反応を用いたp-type Siワイヤ合成でのB濃度制御
利用锌还原反应合成 p 型硅线时的 B 浓度控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    谷口竜之延;稲澤晋
  • 通讯作者：
    稲澤晋
亜鉛還元法を用いたシリコンナノワイヤー膜合成における反応器内ガス流の影響
反应器内气流对锌还原法合成硅纳米线薄膜的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    井上介;稲澤晋
  • 通讯作者：
    稲澤晋
Formation of thicker silicon wires on a sufficiently cooled substrate during the gas phase zinc reduction reaction of SiCl4
在 SiCl4 的气相锌还原反应过程中，在充分冷却的基材上形成较粗的硅线
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2018.10.033
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    水野遊星;中山忠親;末松久幸;鈴木常生;Naoki Shirane and Susumu Inasawa
  • 通讯作者：
    Naoki Shirane and Susumu Inasawa
Boron-dopedシリコンウィスカーの自発生成と導電性の制御
硼掺杂硅晶须的自发生成及电导率控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    谷口竜之延;稲澤晋
  • 通讯作者：
    稲澤晋
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  • 影响因子：
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  • 通讯作者：
    Tomoya Sera and Hideki Nagatsuka
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  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Taniguchi Ryunosuke;Inasawa Susumu
  • 通讯作者：
    Inasawa Susumu
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  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Chemical Engineering Science
  • 影响因子：
    4.7
  • 作者：
    Tajima Chisato;Inasawa Susumu
  • 通讯作者：
    Inasawa Susumu

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