Mat of silicon nanowires as a highly efficient thermoelectric material
Mat of silicon nanowires as a highly efficient thermoelectric material
硅纳米线垫作为高效热电材料
批准号：
17K18976
负责人：
Inasawa Susumu
金额：
$3.99万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-06-30 至 2020-03-31
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.05.009
发表时间：
2019-08
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[S. Inasawa;Kai Inoue]
通讯作者：
S. Inasawa;Kai Inoue
亜鉛還元反応を用いたp-type Siワイヤ合成でのB濃度制御
利用锌还原反应合成 p 型硅线时的 B 浓度控制
利用锌还原反应合成 p 型硅线时的 B 浓度控制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷口竜之延, 稲澤晋]
通讯作者：
稲澤晋
亜鉛還元法を用いたシリコンナノワイヤー膜合成における反応器内ガス流の影響
反应器内气流对锌还原法合成硅纳米线薄膜的影响
反应器内气流对锌还原法合成硅纳米线薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井上介, 稲澤晋]
通讯作者：
稲澤晋
Formation of thicker silicon wires on a sufficiently cooled substrate during the gas phase zinc reduction reaction of SiCl4
在 SiCl4 的气相锌还原反应过程中，在充分冷却的基材上形成较粗的硅线
在 SiCl4 的气相锌还原反应过程中，在充分冷却的基材上形成较粗的硅线
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.10.033
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[水野遊星, 中山忠親, 末松久幸, 鈴木常生, Naoki Shirane and Susumu Inasawa]
通讯作者：
Naoki Shirane and Susumu Inasawa
Boron-dopedシリコンウィスカーの自発生成と導電性の制御
硼掺杂硅晶须的自发生成及电导率控制
硼掺杂硅晶须的自发生成及电导率控制
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷口竜之延, 稲澤晋]
通讯作者：
稲澤晋
Formation of jointed silicon wires/nanowires using dissolution and re-crystalization of silicon in molten zinc droplets.
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批准号：20H02500
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$6.82万
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财政年份：2020
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负责人：Inasawa Susumu
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依托单位：
Development of oxidation-free light-emitting material of silicon microparticles that have many fine trenches
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批准号：17H04962
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$15.39万
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财政年份：2017
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负责人：Inasawa Susumu
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依托单位：
Retardation in oxidation and quenching of photoluminescence from trenched silicon micropartices
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批准号：15K14158
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.33万
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财政年份：2015
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负责人：Inasawa Susumu
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依托单位：
海外基金