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Retardation in oxidation and quenching of photoluminescence from trenched silicon micropartices

Retardation in oxidation and quenching of photoluminescence from trenched silicon micropartices
沟槽硅微粒光致发光的氧化延迟和猝灭
批准号：
15K14158
负责人：
Inasawa Susumu
金额：
$2.33万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K14158/
关键词：
シリコン発光材料イガグリ形状構造材料亜鉛還元結晶構造イガグリ構造酸化消光への耐性放射状結晶構造

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通讯作者： 稲澤晋
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通讯作者： Takuho Mizuguchi and Susumu Inasawa
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期刊： CrystEngComm
影响因子： 3.1
作者： [S. Inasawa, Y. Ono, T. Mizuguchi, A. Sunairi, S. Nakamura, Y. Tsuji and Y. Yamaguchi]
通讯作者： Y. Tsuji and Y. Yamaguchi
共 11 条
    Formation of jointed silicon wires/nanowires using dissolution and re-crystalization of silicon in molten zinc droplets.
    Mat of silicon nanowires as a highly efficient thermoelectric material
    Development of oxidation-free light-emitting material of silicon microparticles that have many fine trenches
    海外基金