高性能Ge-MOSFET実現のため高信頼High-k/Geゲートスタック形成技術
高性能Ge-MOSFET実現のため高信頼High-k/Geゲートスタック形成技術
用于实现高性能Ge-MOSFET的高度可靠的High-k/Ge栅极堆叠形成技术
批准号：
18J13656
负责人：
KE MENGNAN
金额：
$0.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-25 至 2020-03-31
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英文摘要
Journal M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Slow trap properties and generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS interfaces formed by plasma oxidation process”, ACS Appl. Electron. Mater., 2019, 1 (3), pp 311-317Conference M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi, “Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces”, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 34.3, Hilton Hotel, San Fransicco, December 1-5 (2018)
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会议论文
Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process
等离子体氧化工艺形成的 Al2O3/GeOx/Ge MOS 界面的慢陷阱特性和生成
等离子体氧化工艺形成的 Al2O3/GeOx/Ge MOS 界面的慢陷阱特性和生成
DOI：
10.1021/acsaelm.8b00071
发表时间：
2019
期刊：
ACS Applied Electronic Materials
影响因子：
4.7
作者：
[Ke Mengnan, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinichi]
通讯作者：
Takagi Shinichi
Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces
基于 GeOx 的 n-Ge MOS 界面中慢陷阱的表征和理解
基于 GeOx 的 n-Ge MOS 界面中慢陷阱的表征和理解
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi]
通讯作者：
and S. Takagi
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