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高性能Ge-MOSFET実現のため高信頼High-k/Geゲートスタック形成技術
用于实现高性能Ge-MOSFET的高度可靠的High-k/Ge栅极堆叠形成技术
基本信息
- 批准号：18J13656
- 负责人：
- 金额：$ 0.96万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-25 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Journal M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi, “Slow trap properties and generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS interfaces formed by plasma oxidation process”, ACS Appl. Electron. Mater., 2019, 1 (3), pp 311-317Conference M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka and S. Takagi, “Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces”, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 34.3, Hilton Hotel, San Fransicco, December 1-5 (2018)
Journal M. Ke，M。Takeaka和S. Takagi，“血浆氧化过程形成的Al2O3/Geox/Ge Mos接口中的慢陷阱特性和生成”，ACS Appl。电子。 Mater。，2019年，第1（3）页，第311-317页会议M. Ke，P。Cheng，P。Cheng，K。Kato，M。Takeaka和S. Takagi，“对基于Geox的N-GE Mos Interfaces中慢陷阱的表征和理解”，2018 IEEE IEEE IEEE IEEE INSTIGNAL ELECTRON设备会议（IEDM），IEDM），34.3，Hilton Hotel，Hilton Hotel，San Fransco，San Fransco，12月1-5（2018），2018年12月1-5（2018）。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process
等离子体氧化工艺形成的 Al2O3/GeOx/Ge MOS 界面的慢陷阱特性和生成
- DOI：10.1021/acsaelm.8b00071
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：4.7
- 作者：Ke Mengnan;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
- 通讯作者：Takagi Shinichi
Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces
基于 GeOx 的 n-Ge MOS 界面中慢陷阱的表征和理解
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ke;P. Cheng;K. Kato;M. Takenaka;and S. Takagi
- 通讯作者：and S. Takagi
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