Theoretical Study on Carrier Transport in SiC MOS Interfaces
SiC MOS接口载流子传输的理论研究
基本信息
- 批准号:19K23514
- 负责人:
- 金额:$ 1.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-08-30 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Monte Carlo Simulation of Hall Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers
4H-SiC MOS 反型层中霍尔迁移率的蒙特卡罗模拟
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Magnelli;Boogaard;Decarli;Gonzalez-Lopez;Novak;Popping;Smail;Walter;Aravena;Assef;Bauer;Bertoldi;Carilli;Cortes;Cunha;Daddi;Diaz-Santos;Inami;Ivison;Fevre;Oesch;Riechers;Rix;Sargent;Werf;Wagg;and Weiss;Hajime Tanaka and Nobuya Mori
- 通讯作者:Hajime Tanaka and Nobuya Mori
Electronic States in 4H-SiC MOS Inversion Layers Considering Crystal Structure Using Empirical Pseudopotential Method
使用经验赝势法考虑晶体结构的 4H-SiC MOS 反型层中的电子态
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Nagamizo;H. Tanaka;N. Mori
- 通讯作者:N. Mori
経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算
使用经验赝势法计算 4H-SiC 中的浮动电子态
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:永溝 幸周;田中 一;森 伸也
- 通讯作者:森 伸也
Theoretical Study of Band Structure Effects on Impact Ionization Coefficients in Wide-bandgap Semiconductors
宽带隙半导体能带结构对碰撞电离系数影响的理论研究
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hajime Tanaka;Nobuya Mori;and Tsunenobu Kimoto
- 通讯作者:and Tsunenobu Kimoto
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Tanaka Hajime其他文献
microRNA遺伝子のメチル化を用いた膀胱癌新規バイオマーカーの開発
利用 microRNA 基因甲基化开发新型膀胱癌生物标志物
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Koga F;Yoshida S;Kobayashi S;Ishii C;Tanaka Hiroshi;Fujii Y;Tanaka Hajime;Masuda H;Saito K;Komai Y;Kawakami S;Kihara K;鈴木 拓 - 通讯作者:
鈴木 拓
A duality of scaffolds for translation association schemes
翻译关联方案支架的二元性
- DOI:
10.1016/j.laa.2021.12.018 - 发表时间:
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- 影响因子:1.1
- 作者:
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Wang Tao
Externally driven local colloidal ordering induced by a pointlike heat source
由点状热源引起的外部驱动的局部胶体排序
- DOI:
10.1103/physrevresearch.1.033200 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:4.2
- 作者:
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Tanaka Hajime
STEM-CBED study on the temperature dependence of the local structures of tetragonal BaTiO3
四方 BaTiO3 局部结构温度依赖性的 STEM-CBED 研究
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
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- 作者:
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Kenji Tsuda
ファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析
范德华异质结带间隧道电流的 NEGF 分析
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Hashimoto Futo;Tanaka Hajime;Mori Nobuya;橋本風渡,森伸也;Futo Hashimoto and Nobuya Mori;橋本風渡;橋本風渡,森伸也;Futo Hashimoto and Nobuya Mori;Futo Hashimoto and Nobuya Mori;橋本風渡,森伸也;橋本風渡,田中一,森伸也 - 通讯作者:
橋本風渡,田中一,森伸也
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Algebraic combinatorics and its ties with other areas
代数组合学及其与其他领域的联系
- 批准号:
20K03551 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of the algebraic study of graphs
图代数研究的发展
- 批准号:
17K05156 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似国自然基金
基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3 MOS界面调控机理研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
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基于热氧化“Si/AlN叠层”的SiC MOS界面态抑制方法研究
- 批准号:
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相似海外基金
SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
正确理解SiC表面和界面上发生的独特现象,并基于该理解控制MOS界面特性
- 批准号:
24H00308 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
- 批准号:
24KJ0142 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
極低温環境下におけるSi-MOS界面散乱体の起源解明に向けた定量化手法の確立
建立定量方法来阐明低温环境中 Si-MOS 界面散射体的起源
- 批准号:
23K13379 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
重构碳化硅半导体MOS接口科学及接口设计指南
- 批准号:
21K18170 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減
验证SiC-MOS界面特有的散射体的来源,并通过抑制它们来降低沟道电阻
- 批准号:
21K04166 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
截面阐明宽禁带半导体MOS界面缺陷的真实本质
- 批准号:
20H00340 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
SiC MOS界面準位の低減および新チャネル構造MOSFETの動作実証
SiC MOS界面态的还原及新型沟道结构MOSFET的运行演示
- 批准号:
19J23422 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation
SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究
- 批准号:
25286054 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Application research for high mobility Ge MOSFET by charge compensation at MOS interface
MOS接口电荷补偿高迁移率Ge MOSFET的应用研究
- 批准号:
25886010 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
高移動度チャネル材料MOSFETのMOS界面とキャリア輸送特性に関する研究
高迁移率沟道材料MOSFET的MOS界面及载流子传输特性研究
- 批准号:
08F08069 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows














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