Theoretical Study on Carrier Transport in SiC MOS Interfaces

SiC MOS接口载流子传输的理论研究

基本信息

  • 批准号:
    19K23514
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-08-30 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析
碰撞电离系数对能带结构依赖性的理论分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 一;木本 恒暢;森 伸也
  • 通讯作者:
    森 伸也
Monte Carlo Simulation of Hall Mobility in 4H-SiC MOS Inversion Layers
4H-SiC MOS 反型层中霍尔迁移率的蒙特卡罗模拟
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Magnelli;Boogaard;Decarli;Gonzalez-Lopez;Novak;Popping;Smail;Walter;Aravena;Assef;Bauer;Bertoldi;Carilli;Cortes;Cunha;Daddi;Diaz-Santos;Inami;Ivison;Fevre;Oesch;Riechers;Rix;Sargent;Werf;Wagg;and Weiss;Hajime Tanaka and Nobuya Mori
  • 通讯作者:
    Hajime Tanaka and Nobuya Mori
Electronic States in 4H-SiC MOS Inversion Layers Considering Crystal Structure Using Empirical Pseudopotential Method
使用经验赝势法考虑晶体结构的 4H-SiC MOS 反型层中的电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Nagamizo;H. Tanaka;N. Mori
  • 通讯作者:
    N. Mori
経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算
使用经验赝势法计算 4H-SiC 中的浮动电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永溝 幸周;田中 一;森 伸也
  • 通讯作者:
    森 伸也
Theoretical Study of Band Structure Effects on Impact Ionization Coefficients in Wide-bandgap Semiconductors
宽带隙半导体能带结构对碰撞电离系数影响的理论研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hajime Tanaka;Nobuya Mori;and Tsunenobu Kimoto
  • 通讯作者:
    and Tsunenobu Kimoto
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microRNA遺伝子のメチル化を用いた膀胱癌新規バイオマーカーの開発
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koga F;Yoshida S;Kobayashi S;Ishii C;Tanaka Hiroshi;Fujii Y;Tanaka Hajime;Masuda H;Saito K;Komai Y;Kawakami S;Kihara K;鈴木 拓
  • 通讯作者:
    鈴木 拓
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翻译关联方案支架的二元性
  • DOI:
    10.1016/j.laa.2021.12.018
  • 发表时间:
    2021-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.1
  • 作者:
    Liang Xiaoye;Tan Ying-Ying;Tanaka Hajime;Wang Tao
  • 通讯作者:
    Wang Tao
Externally driven local colloidal ordering induced by a pointlike heat source
由点状热源引起的外部驱动的局部胶体排序
  • DOI:
    10.1103/physrevresearch.1.033200
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.2
  • 作者:
    Bruot Nicolas;Tanaka Hajime
  • 通讯作者:
    Tanaka Hajime
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kurita Rei;Tanaka Hajime;黒澤直俊;Kenji Tsuda
  • 通讯作者:
    Kenji Tsuda
ファンデルワールスヘテロ接合におけるバンド間トンネル電流のNEGF解析
范德华异质结带间隧道电流的 NEGF 分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hashimoto Futo;Tanaka Hajime;Mori Nobuya;橋本風渡,森伸也;Futo Hashimoto and Nobuya Mori;橋本風渡;橋本風渡,森伸也;Futo Hashimoto and Nobuya Mori;Futo Hashimoto and Nobuya Mori;橋本風渡,森伸也;橋本風渡,田中一,森伸也
  • 通讯作者:
    橋本風渡,田中一,森伸也

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  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.66万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.66万
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  • 批准号:
    21K04166
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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截面阐明宽禁带半导体MOS界面缺陷的真实本质
  • 批准号:
    20H00340
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
SiC MOS界面準位の低減および新チャネル構造MOSFETの動作実証
SiC MOS界面态的还原及新型沟道结构MOSFET的运行演示
  • 批准号:
    19J23422
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation
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  • 批准号:
    25286054
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 1.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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MOS接口电荷补偿高迁移率Ge MOSFET的应用研究
  • 批准号:
    25886010
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 1.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
高移動度チャネル材料MOSFETのMOS界面とキャリア輸送特性に関する研究
高迁移率沟道材料MOSFET的MOS界面及载流子传输特性研究
  • 批准号:
    08F08069
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 1.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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知道了