Electron-spin-resonance characterization on interface defects at wide-gap semiconductor (SiC and GaN) MOS interfaces
Electron-spin-resonance characterization on interface defects at wide-gap semiconductor (SiC and GaN) MOS interfaces
宽禁带半导体（SiC 和 GaN）MOS 界面界面缺陷的电子自旋共振表征
批准号：
17H02781
负责人：
Umeda Takahide
金额：
$11.56万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy
电子自旋共振光谱研究 4H-SiC(0001)/SiO2 界面碳缺陷
电子自旋共振光谱研究 4H-SiC(0001)/SiO2 界面碳缺陷
DOI：
10.1063/1.5041059
发表时间：
2018
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[T. Umeda, G.-W. Kim, T. Okuda, M. Sometani, T. Kimoto, S. Harada]
通讯作者：
S. Harada
Carbon Pb center (the PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
4H-SiC(0001)/SiO2 界面处的碳 Pb 中心（PbC 中心）
4H-SiC(0001)/SiO2 界面处的碳 Pb 中心（PbC 中心）
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada]
通讯作者：
S. Harada
The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study
4H-SiC(0001)/SiO2 界面上的 PbC（碳悬挂键）中心：第一性原理研究
4H-SiC(0001)/SiO2 界面上的 PbC（碳悬挂键）中心：第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kobayashi, T. Umeda, Y. Matsushita]
通讯作者：
Y. Matsushita
DOI：
10.1063/1.4994241
发表时间：
2018-01
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima]
通讯作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
Interface carbon defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 interfaces detected by electron spin resonance
电子自旋共振检测Si面4H-SiC/SiO2界面的界面碳缺陷
电子自旋共振检测Si面4H-SiC/SiO2界面的界面碳缺陷
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[G.-W. Kim, T. Okuda, T. Kimoto, T. Umeda]
通讯作者：
T. Umeda
共 26 条
国内基金
海外基金
基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3 MOS界面调控机理研究
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批准号：--
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：30万元
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批准年份：2022
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负责人：贾一凡
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依托单位：
基于热氧化“Si/AlN叠层”的SiC MOS界面态抑制方法研究
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批准号：52107190
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项目类别：青年科学基金项目（C类）
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资助金额：30.0万元
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批准年份：2021
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负责人：王雨薇
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依托单位：