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Electron-spin-resonance characterization on interface defects at wide-gap semiconductor (SiC and GaN) MOS interfaces

宽禁带半导体（SiC 和 GaN）MOS 界面界面缺陷的电子自旋共振表征

基本信息

批准号：
17H02781
负责人：
Umeda Takahide
金额：
$ 11.56万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy

电子自旋共振光谱研究 4H-SiC(0001)/SiO2 界面碳缺陷

DOI：
10.1063/1.5041059
发表时间：
2018
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
T. Umeda;G.-W. Kim;T. Okuda;M. Sometani;T. Kimoto;S. Harada
通讯作者：
S. Harada

Carbon Pb center (the PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface

4H-SiC(0001)/SiO2 界面处的碳 Pb 中心（PbC 中心）

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Umeda;Y. Nakano;E. Higa;H. Yano;M. Sometani;S. Harada
通讯作者：
S. Harada

The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study

4H-SiC(0001)/SiO2 界面上的 PbC（碳悬挂键）中心：第一性原理研究

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Kobayashi;T. Umeda;Y. Matsushita
通讯作者：
Y. Matsushita

Single photon sources in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

DOI：
10.1063/1.4994241
发表时间：
2018-01
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
通讯作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima

Interface carbon defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 interfaces detected by electron spin resonance

电子自旋共振检测Si面4H-SiC/SiO2界面的界面碳缺陷

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
G.-W. Kim;T. Okuda;T. Kimoto;T. Umeda
通讯作者：
T. Umeda

DOI：
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Metrologia
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2.4
作者：
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