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FOR 476: Silicon Carbide as Semiconductor Material: Alternative Approaches towards Crystal Growth and Doping

FOR 476: Silicon Carbide as Semiconductor Material: Alternative Approaches towards Crystal Growth and Doping
FOR 476：碳化硅作为半导体材料：晶体生长和掺杂的替代方法
批准号：
5469528
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位：
Lehrstuhl für Technische Physik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Units
财政年份：
2002
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2001-12-31 至 2007-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5469528?language=en
关键词：
476SiliconCarbideSemiconductorMaterial

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Silicon-Tethered 分子内 Corey-Chaykovsky 反应和 Tandem Heterocyclopropylolefin 环化反应研究
  • 批准号：
    20802044
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    18.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    宋振雷
  • 依托单位：
    四川大学