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窒化物半導体上ペロブスカイトナノ結晶塗布技術の開拓とマイクロLEDディスプレイ応用

窒化物半導体上ペロブスカイトナノ結晶塗布技術の開拓とマイクロLEDディスプレイ応用
氮化物半导体钙钛矿纳米晶涂层技术开发及其在Micro LED显示中的应用
批准号:
23K03936
负责人:
大音 隆男
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2026-03-31

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電子線励起法による窒化物半導体量子井戸構造を用いた深紫外レーザに関する研究
  • 批准号:
    11J05168
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    2011
  • 负责人:
    大音 隆男
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
基于纳米柱的InGaN单量子点构建及超低 功耗光电突触器件
可控InGaN量子点与柔性集成类脑芯片的构效关系研究
  • 批准号:
    62504165
  • 项目类别:
    青年科学基金项目(C类)
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    张建亚
  • 依托单位:
基于选区外延InGaN/GaN核—壳型纳米柱的微纳米LED器件研究
  • 批准号:
    62404184
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    卢卫芳
  • 依托单位:
基于InGaN/GaN异质结极化势垒的高灵敏高速紫外-可见光探测及双色分辨研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    15.0万元
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    吕泽升
  • 依托单位: