窒化物半導体上ペロブスカイトナノ結晶塗布技術の開拓とマイクロLEDディスプレイ応用
窒化物半導体上ペロブスカイトナノ結晶塗布技術の開拓とマイクロLEDディスプレイ応用
批准号:
23K03936
负责人:
大音 隆男
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2026-03-31
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電子線励起法による窒化物半導体量子井戸構造を用いた深紫外レーザに関する研究
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批准号:11J05168
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:大音 隆男
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依托单位:
国内基金
海外基金
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基于纳米柱的InGaN单量子点构建及超低
功耗光电突触器件
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:赵宇坤
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依托单位:
基于InGaN/GaN异质结极化势垒的高灵敏高速紫外-可见光探测及双色分辨研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2024
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负责人:吕泽升
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依托单位:
外差式InGaN量子阱梁光机电一体化微腔加速度计传感机理
研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:
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依托单位:
AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
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批准号:2024JJ7377
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:张顺如
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依托单位:
面向高增益、高速、波长选择InGaN可见光探测器的缺陷抑制与增益结构研究
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批准号:62305398
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30.00万元
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批准年份:2023
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负责人:吕泽升
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依托单位:
基于二维MXene的外延高效InGaN纳米柱光电极的制备及产氢机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:林静
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依托单位:
高密度高均匀性自组装InGaN量子点的可控生长及绿光量子点激光器研究
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批准号:62304244
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:杨文献
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依托单位:
InGaN辐照缺陷的微观动力学行为及其对载流子性质影响研究
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批准号:12305302
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:张硕
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依托单位:
基于高质量外延模板的InGaN基红光Micro-LED芯片研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:53万元
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批准年份:2022
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负责人:庄喆
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依托单位:
InGaN/GaN红光材料V坑缺陷主动调控机理与方法研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:姚威振
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依托单位: