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窒化物半導体上ペロブスカイトナノ結晶塗布技術の開拓とマイクロLEDディスプレイ応用
氮化物半导体钙钛矿纳米晶涂层技术开发及其在Micro LED显示中的应用
基本信息
- 批准号：23K03936
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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大音 隆男其他文献
ハニカム配列GaInN/GaN ナノコラムLED の製作プロセス
蜂窝阵列GaInN/GaN纳米柱LED制造工艺
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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岸野 克巳,
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- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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大音 隆男
InGaN/GaNナノコラムプラズモニック結晶における発光増強特性～金と銀の比較～
InGaN/GaN纳米柱等离子体晶体的发光增强特性~金和银的比较~
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
大音 隆男;鯰田 優人;岡本 晃一;富樫 理恵;岸野 克巳 - 通讯作者：
岸野 克巳
三角格子配列Au/InGaN/GaNナノコラムのプラズモニック特性
三角晶格阵列Au/InGaN/GaN纳米柱的等离子体特性
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
菊地 主馬;大音 隆男;岡本 晃一;岸野 克巳 - 通讯作者：
岸野 克巳
大音 隆男的其他文献
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{{ truncateString('大音 隆男', 18)}}的其他基金
電子線励起法による窒化物半導体量子井戸構造を用いた深紫外レーザに関する研究
采用电子束激发法的氮化物半导体量子阱结构深紫外激光器研究
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11J05168 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似国自然基金
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功耗光电突触器件
- 批准号：
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高密度高均匀性自组装InGaN量子点的可控生长及绿光量子点激光器研究
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- 批准号：
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InGaN/GaN红光材料V坑缺陷主动调控机理与方法研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
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相似海外基金
InGaN系フォトニック結晶を用いる可視域トポロジカル面発光レーザの開発
使用InGaN基光子晶体开发可见光范围拓扑表面发射激光器
- 批准号：
24K00950 - 财政年份：2024
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熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
基于热力学控制原料分子创建成分控制的InGaN混晶厚膜
- 批准号：
24K01579 - 财政年份：2024
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赤色発光素子応用に資するInGaNマトリクスの構造制御
InGaN基体的结构控制有助于红光发射器件的应用
- 批准号：
24K08271 - 财政年份：2024
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InGaN系半導体光材料のナノポテンシャル制御とデバイス応用
InGaN基半导体光学材料的纳米电位控制及器件应用
- 批准号：
22K14613 - 财政年份：2022
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Visible, long wavelength LEDs based on In-rich InGaN on ScAlMgO4 substrates
基于 ScAlMgO4 基板上富 InGaN 的可见光长波长 LED
- 批准号：
21H04661 - 财政年份：2021
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$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Porous InGaN for Red LEDs (PIRL)
用于红色 LED 的多孔 InGaN (PIRL)
- 批准号：
107470 - 财政年份：2021
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$ 3万 - 项目类别：
CR&D Bilateral
EAGER: Toward Monolithic Optically-Pumped Single-Photon Sources Based on Deterministic InGaN Quantum Dots in GaN Nanowires
EAGER：基于 GaN 纳米线中确定性 InGaN 量子点的单片光泵浦单光子源
- 批准号：
2020015 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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Local structure characterization of InGaN/GaN multi quantum wells by using synchrotron radiation nanobeam focused by compound refractive lens
利用复合折射透镜聚焦的同步辐射纳米束表征InGaN/GaN多量子阱的局域结构
- 批准号：
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InGaN-based micro-light emitting diode (LED) arrays integrated with a driving circuit backplane
集成驱动电路背板的 InGaN 基微型发光二极管 (LED) 阵列
- 批准号：
520229-2017 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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ScAlMgO4 衬底上富 InGaN LED 的实现
- 批准号：
20H00351 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)