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ナノスケールワールドへの新しいエキゾチックプラズマの探索研究

纳米级世界新型奇异等离子体的探索性研究

基本信息

批准号：
08874038
负责人：
寺嶋和夫
金额：
$ 1.54万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至 1997
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08874038/
关键词：
ナノスケールワールドエキゾチックプラズママイクロスケールプラズマピエゾアクチュエーターリソグラフィープラズマ環境STM プラズマ-固体界面マイクロ・プラズマナノスケール・プラズママルチプローブ微小ラングミュアープローブ法超高密度プラズマ

项目摘要

(1)リソグラフィー電極を用いたマイクロスケールプラズマの発生半導体リソグラフィー技術により、作製したミクロンオーダーのギャップ電極を用いプラズマの発生に成功した。プラズマ生成におけるパッションのルールのマイクロスケールの世界での成立を確認するなどマイクロスケールでのプラズマ発生法の大きな手法となることが期待される。(2)プラズマ環境STMの開発プラズマの極小領域(ナノワールド)物性以下のような新たな要素技術の開発を行ない、その集積としてのプラズマ環境STMのを完成させた。(A)プラズマ環境STM用プローブ(ガラス被覆/先端数μm露出/Pt-Ir製)の開発(B)プラズマ環境STM用耐高電圧(1kV)高精度(10fA)電流計の開発(C)プラズマ環境STM用チャンバー(2重防振構造)の作製(D)プラズマ環境STM用コンパクト高周波(440MHZ)プラズマ発生装置の作製上記装置を用い、STMの標準試料であるHOPG高配向性グラファイトのプラズマ照射下でのSTM観察を行ない、ナノステップ像および格子像観察に成功を収めた。プラズマ環境下での固体表面のナノ構造STM観察に成功した本研究は、ナノスケールでの固体-プラズマ界面研究の新たな扉を切り開くものである。

(1)The development of semiconductor technology is successful in the development of semiconductor technology. The creation of the world is expected. (2)The development and integration of new elements and technologies in the development and integration of environmental STM in very small areas (A)Environment and Environment Development of (Pt-Ir)(B) High Voltage Resistance (1kV) High Accuracy (10fA) Ammeter Development (C) High Voltage Resistance (1kV) High Voltage Resistance (1kV) Ammeter Development (C) High Voltage Resistance (1 kV) Ammeter Development (D) High Frequency (440MHZ) Ammeter Development STM standard samples were successfully observed under irradiation with HOPG high alignment. This paper presents a new approach to the study of solid-solid interfaces under different environmental conditions.