Development of high quality semipolar-GaN substrates by HVPE with improved source-utilization efficiency
Development of high quality semipolar-GaN substrates by HVPE with improved source-utilization efficiency
通过 HVPE 开发高质量半极性 GaN 衬底，提高资源利用率
批准号：
26790044
负责人：
YAMANE KEISUKE
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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ハイドライド気相成長法におけるGaNファセット制御
氢化物气相外延中的 GaN 晶面控制
氢化物气相外延中的 GaN 晶面控制
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河原慎, 井原洋, 傳寶裕晶, 岡田成仁, 山根啓輔, 只友 一行]
通讯作者：
只友 一行
Alternately-double-sided growth of low curvature GaN templates on sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延在蓝宝石衬底上交替双面生长低曲率GaN模板
氢化物气相外延在蓝宝石衬底上交替双面生长低曲率GaN模板
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[N.Okada, T. Yamamoto, H. Ihara, K. Yamane, K. Tadatomo]
通讯作者：
K. Tadatomo
PECVD法により成膜したSiO2マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響
HVPE生长过程中PECVD法形成的SiO2掩膜质量对GaN选择性生长的影响
HVPE生长过程中PECVD法形成的SiO2掩膜质量对GaN选择性生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[板垣憲広, 河原慎, 山根啓輔, 岡田成仁, 井本良, 本山慎一, 小林貴之, 只友 一行]
通讯作者：
只友 一行
HVPE-grown GaN substrate with overall low dislocation density and relation between lattice bowing and defects
HVPE 生长的 GaN 衬底具有整体低位错密度以及晶格弯曲和缺陷之间的关系
HVPE 生长的 GaN 衬底具有整体低位错密度以及晶格弯曲和缺陷之间的关系
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Okada, K. Yamane, T. Matsubara, S. Goubara, H. Ihara, K. Yukizane, T. Ezaki, S. Fujimoto, R. Inomoto, K. Tadatomo]
通讯作者：
K. Tadatomo
DOI：
10.1002/pssb.201552783
发表时间：
2016-05-01
期刊：
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
影响因子：
1.6
作者：
[Okada, Narihito, Ihara, Hiroshi, Tadatomo, Kazuyuki]
通讯作者：
Tadatomo, Kazuyuki
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