课题基金 / 基金详情

Study on Ga2O3 based heterojunction for device applications

Study on Ga2O3 based heterojunction for device applications
Ga2O3基异质结器件应用研究
批准号：
26709020
负责人：
Oshima Takayoshi
金额：
$15.72万
依托单位：
Saga University (2016)Tokyo Institute of Technology (2014-2015)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26709020/
关键词：
酸化ガリウムヘテロ接合変調ドープ結晶成長半導体物性半導体デバイスエピタキシャル成長半導体ヘテロ接合バンドアラインメント

项目摘要

项目成果

Oshima Takayoshi的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Epitaxial growth of gamma-phase Ga2O3 semiconductor
γ相Ga2O3半导体的外延生长
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu, 大島孝仁, 大島孝仁, 大島孝仁, Takayoshi Oshima]
通讯作者： Takayoshi Oshima
PLD and MBE growth of Ga2O3 and (AlxGa1-x)2O3
Ga2O3 和 (AlxGa1-x)2O3 的 PLD 和 MBE 生长
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [深見成, 河野直士, 荒木幸二, 大島孝仁, 大石敏之, 大島孝仁，橋川誠，富澤三世，佐々木公平，倉又 朗人，大石 敏之，嘉数 誠, 橋口明広，森林朋也，花田賢志，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠, 河野直士，大島孝仁，嘉数誠，大石敏之, 大島孝仁，若林諒，服部真依，橋口明広，河野直士，佐々木公平，増井建和，倉又朗人，山腰茂伸，吉松公平，大友明，大石敏之，嘉数誠, Takayoshi Oshima]
通讯作者： Takayoshi Oshima
酸化ガリウム系半導体の薄膜成長
氧化镓半导体薄膜生长
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu, 大島孝仁, 大島孝仁]
通讯作者： 大島孝仁
Tokyo Tech Research Repository
东京工业大学研究资料库
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 42 条
    Fabrication of an ultra-wide-band-gap semiconductor having a 7-eV band gap
    • 批准号：
      16K13673
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Oshima Takayoshi
    • 依托单位：
      Saga University
    海外基金