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Fabrication of an ultra-wide-band-gap semiconductor having a 7-eV band gap

Fabrication of an ultra-wide-band-gap semiconductor having a 7-eV band gap
具有7eV带隙的超宽带隙半导体的制造
批准号：
16K13673
负责人：
Oshima Takayoshi
金额：
$2.33万
依托单位：
Saga University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K13673/
关键词：
酸化ガリウム混晶超格子酸化アルミニウムガリウム超ワイドギャップ半導体結晶成長半導体物性ワイドギャップ半導体

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共 31 条
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    • 批准年份：
      2024
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      黄海涛
    • 依托单位：
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