Fabrication of an ultra-wide-band-gap semiconductor having a 7-eV band gap
具有7eV带隙的超宽带隙半导体的制造
基本信息
- 批准号:16K13673
- 负责人:
- 金额:$ 2.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(35)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
コヒーレントα-Al2O3/Ga2O3超格子の作製
相格α-Al2O3/Ga2O3超晶格的制备
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Hattori;T. Oshima;R. Wakabayashi;K. Yoshimatsu;K. Sasaki;T. Masui;A. Kuramata;S. Yamakoshi;K. Horiba;H. Kumigashira;A. Ohtomo;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;Takayoshi Oshima;加藤勇次,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹,大島孝仁
- 通讯作者:加藤勇次,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹,大島孝仁
β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察
β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 异质结界面载流子限制的观察
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takayoshi Oshima;Yuji Kato;Naoto Kawano; Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu;Takayoshi Oshima;橋口明広,森林朋也,大島孝仁,大石敏之,輿公祥,佐々木公平,倉又朗人,上田修,嘉数誠;森林朋也,橋口明広,大島孝仁,花田賢志,大石敏之,輿公祥,佐々木公平,倉又朗人,上田修,嘉数誠;加藤勇次,大島孝仁,織田真也,人羅俊実,嘉数誠;加藤勇次,大島孝仁,河野直士,倉又朗人,山腰茂伸,藤田静雄,大石敏之,嘉数誠
- 通讯作者:加藤勇次,大島孝仁,河野直士,倉又朗人,山腰茂伸,藤田静雄,大石敏之,嘉数誠
EFG法β型酸化ガリウムの結晶欠陥とSBD素子特性との関連
EFG法β型氧化镓晶体缺陷与SBD器件特性的关系
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takayoshi Oshima;Yuji Kato;Naoto Kawano; Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu;Takayoshi Oshima;橋口明広,森林朋也,大島孝仁,大石敏之,輿公祥,佐々木公平,倉又朗人,上田修,嘉数誠;森林朋也,橋口明広,大島孝仁,花田賢志,大石敏之,輿公祥,佐々木公平,倉又朗人,上田修,嘉数誠;加藤勇次,大島孝仁,織田真也,人羅俊実,嘉数誠;加藤勇次,大島孝仁,河野直士,倉又朗人,山腰茂伸,藤田静雄,大石敏之,嘉数誠;大島孝仁,加藤勇次,河野直士,倉又朗人,山腰茂伸,藤田静雄,大石敏之,嘉数誠;嘉数誠,花田賢志,大島孝仁
- 通讯作者:嘉数誠,花田賢志,大島孝仁
酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作
使用氧化镓二极管的整流天线电路操作
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:舟木浩祐;石松裕真;桝谷聡士;大島孝仁;嘉数誠;大石敏之;石松 裕真 舟木 浩祐 桝谷 聡士 宮崎 恭輔 大島 孝仁 嘉数 誠 大石 敏之;舟木 浩祐,石松 裕真,桝谷 聡士,宮崎 恭輔,大島 孝仁,嘉数 誠,大石 敏之;大石 敏之,河野 直士,嘉数 誠;大石 敏之,河野 直士,嘉数 誠;河野 直士,大島 孝仁,嘉数 誠,大石 敏之
- 通讯作者:河野 直士,大島 孝仁,嘉数 誠,大石 敏之
低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子
低暗电流氧化镓MIS光电探测器
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:深見成;河野直士;荒木幸二;大島孝仁;大石敏之;大島孝仁,橋川誠,富澤三世,佐々木公平,倉又 朗人,大石 敏之,嘉数 誠
- 通讯作者:大島孝仁,橋川誠,富澤三世,佐々木公平,倉又 朗人,大石 敏之,嘉数 誠
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Oshima Takayoshi其他文献
Two‐Dimensional Perovskite Oxynitride K2LaTa2O6N with an H+/K+?Exchangeability in Aqueous Solution to Form Stable Photocatalyst for Visible‐Light H2?Evolution
二维钙钛矿氮氧化物 K2LaTa2O6N 在水溶液中具有 H+/K+可交换性,可形成稳定的光催化剂用于可见光析氢
- DOI:
10.1002/ange.202002534 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Oshima Takayoshi;Ichibha Tom;Oqmhula Kenji;Hibino Keisuke;Mogi Hiroto;Yamashita Shunsuke;Fujii Kotaro;Miseki Yugo;Hongo Kenta;Lu Daling;Maezono Ryo;Sayama Kazuhiro;Yashima Masatomo;Kimoto Koji;Kato Hideki;Kakihana Masato;Kageyama Hiroshi;Maeda Kazuhiko - 通讯作者:
Maeda Kazuhiko
ワイドギャップ半導体Ga2O3の安定相の制御
宽带隙半导体Ga2O3稳定相的控制
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Oshima Yuichi;Kawara Katsuaki;Oshima Takayoshi;Okigawa Mitsuru;Shinohe Takashi;大島祐一 - 通讯作者:
大島祐一
準安定相Ga2O3のハライド気相成長
亚稳态 Ga2O3 的卤化物气相生长
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Oshima Yuichi;Kawara Katsuaki;Oshima Takayoshi;Okigawa Mitsuru;Shinohe Takashi;大島祐一;Yuichi Oshima;大島祐一 - 通讯作者:
大島祐一
準安定相酸化ガリウムの ハライド気相成長
亚稳态氧化镓的卤化物气相生长
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Oshima Yuichi;Kawara Katsuaki;Oshima Takayoshi;Okigawa Mitsuru;Shinohe Takashi;大島祐一;Yuichi Oshima;大島祐一;大島祐一 - 通讯作者:
大島祐一
フェムト秒レーザーで駆動するチップ陰極型電子源の開発
飞秒激光器驱动片式阴极型电子源的研制
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Okumura Hironori;Kato Yuji;Oshima Takayoshi;Palacios Tomas;上杉祐貴,渡辺和樹,佐藤俊一 - 通讯作者:
上杉祐貴,渡辺和樹,佐藤俊一
Oshima Takayoshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Oshima Takayoshi', 18)}}的其他基金
Study on Ga2O3 based heterojunction for device applications
Ga2O3基异质结器件应用研究
- 批准号:
26709020 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似国自然基金
异构耐热镁合金多尺度析出相与混晶的组织稳定性和高温强化机理
- 批准号:52374405
- 批准年份:2023
- 资助金额:50 万元
- 项目类别:面上项目
Yb3+离子掺杂CaGd1-xYxAlO4混晶的构效关系、生长工艺及其超快激光研究
- 批准号:62375106
- 批准年份:2023
- 资助金额:49 万元
- 项目类别:面上项目
溶质激发微剪切带诱导混晶铝合金强韧化与可控设计研究
- 批准号:52303390
- 批准年份:2023
- 资助金额:30.00 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
核电用奥氏体不锈钢锻造固溶混晶缺陷形成机理与主动控制理论
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
中红外LGN-LGT非线性光学混晶生长及放大性能研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:54 万元
- 项目类别:面上项目
室温等径角挤压镁铋基合金超-细混晶组织的构筑及其强韧化机理
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:33 万元
- 项目类别:地区科学基金项目
Ti颗粒增强镁合金的混晶结构组织构型及其增韧机理
- 批准号:52004135
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
镁合金混晶结构调控与高周疲劳行为的关联性研究
- 批准号:
- 批准年份:2020
- 资助金额:58 万元
- 项目类别:面上项目
超高塑性镁合金的赝纤维混晶组织形成机理、变形机制与性能调控
- 批准号:52071037
- 批准年份:2020
- 资助金额:58 万元
- 项目类别:面上项目
高温合金锻件混晶组织的消除机制与热处理工艺研究
- 批准号:2020JJ4113
- 批准年份:2020
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
相似海外基金
多形相安定性の混晶制御による遷移金属ダイテルライド型スマート薄膜材料の創成
通过控制混合晶体中的多晶型相稳定性创建过渡金属二硅化物型智能薄膜材料
- 批准号:
24KJ0431 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強誘電体KTN混晶の温度-電場-濃度相図と誘電チューナブル材料への応用
铁电KTN混晶的温度-电场-浓度相图及其在介电可调材料中的应用
- 批准号:
24K06918 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
用于新型电子器件的 κ-(InxGa1-x)2O3 混合晶体中的缺陷、相分离和成分波动的评估和控制
- 批准号:
24K08272 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング
14族混晶半导体中的声子药物工程
- 批准号:
24H00314 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製
四元混晶AlGaInN极化掺杂层制作异质双极晶体管
- 批准号:
23K26559 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製
基于热力学控制原料分子创建成分控制的InGaN混晶厚膜
- 批准号:
24K01579 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
IV族混晶半導体の物性制御による薄膜太陽電池用ボトムセルの開発
通过控制IV族混晶半导体的物理特性开发薄膜太阳能电池的底部电池
- 批准号:
24KJ0509 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
太陽電池の性能を最大限に引き出すCZTS系混晶薄膜の作製
制造基于 CZTS 的混合晶体薄膜,最大限度地提高太阳能电池的性能
- 批准号:
22K04209 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明
阐明控制氮化物基混晶半导体子带隙区域的光学和热性能的指南,有助于下一代光源的开发
- 批准号:
22K04956 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
温度可変ラマン分光法によるSiGe混晶の微視的な熱伝導機構解明に関する研究
变温拉曼光谱阐明SiGe混晶微观热传导机制的研究
- 批准号:
21K14201 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists














{{item.name}}会员




