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Investigation on mechanism of wet chemical laser doping of 4H-SiC by optical emission spectroscopy

Investigation on mechanism of wet chemical laser doping of 4H-SiC by optical emission spectroscopy
发射光谱研究4H-SiC湿化学激光掺杂机理
批准号：
26420309
负责人：
Ikeda Akihiro
金额：
$3.24万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420309/
关键词：
SiCレーザドーピング発光スペクトル4H-SiC

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大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング
常压氮等离子体激光照射4H-SiC氮掺杂
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Ikeda, D. Mrui, H. Ikenoue, T. Asano, 丸井大地，池田晃裕，池上浩，浅野種正, 小島遼太，池上浩，渡邊陽介，池田晃裕，中村大輔，浅野種正，岡田龍雄]
通讯作者： 小島遼太，池上浩，渡邊陽介，池田晃裕，中村大輔，浅野種正，岡田龍雄
レーザドーピング装置及びレーザドーピング方法
激光掺杂设备及激光掺杂方法
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Aluminum doping of 4H-SiC by irradiation of excimer laser in aluminum chloride solution
DOI： 10.7567/jjap.53.06jf03
发表时间： 2014-05
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Daichi Marui;A. Ikeda;K. Nishi;H. Ikenoue;T. Asano]
通讯作者： Daichi Marui;A. Ikeda;K. Nishi;H. Ikenoue;T. Asano
SiNx膜レーザーアブレーションによる4H-SiCへの窒素ドーピングと窒素拡散機構に関する研究
SiNx薄膜激光烧蚀4H-SiC氮掺杂及氮扩散机理研究
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [小島　遼太, 池上 浩, 諏訪　輝, 池田 晃裕, 中村 大輔, 浅野 種正, 岡田 龍雄]
通讯作者： 岡田 龍雄
共 24 条
    Schumann Resonance for monitoring of ionosphere
    • 批准号：
      19K03956
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Ikeda Akihiro
    • 依托单位：
      Kagoshima National College of Technology
    In-situ temperature measurements and impurity profile control on SiC surface during wet chemical laser doping
    Magnetosphere-ionosphere-Earth coupling based on magnetic pulsations
    • 批准号：
      25800277
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Ikeda Akihiro
    • 依托单位：
      Kagoshima National College of Technology
    海外基金