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In-situ temperature measurements and impurity profile control on SiC surface during wet chemical laser doping

In-situ temperature measurements and impurity profile control on SiC surface during wet chemical laser doping
湿化学激光掺杂过程中 SiC 表面的原位温度测量和杂质分布控制
批准号：
17K06387
负责人：
Ikeda Akihiro
金额：
$3.08万
依托单位：
Sojo University (2018-2019)Kyushu University (2017)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06387/
关键词：
レーザドーピング4H-SiCパルス波形整形低コンタクト抵抗CO2レーザパルス波形制御オーミックコンタクト2色法表面温度拡散係数コンタクト抵抗ロングパルスアルミ電子デバイス・機器

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Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller
使用激光脉冲持续时间控制器进行 4H-SiC 功率器件制造的激光掺杂
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Kikuchi, K. Imokawa, A. Ikeda, D. Nakamura, T. Asano, H. Ikenoue]
通讯作者： H. Ikenoue
Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser
使用扩展脉冲准分子激光器增加 4H-SiC 中 Al 的激光掺杂深度
DOI： --
发表时间： 2019
期刊： Materials Science Forum
影响因子： --
作者： [Akihiro Ikeda, Takashi Shimokawa, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano]
通讯作者： Tanemasa Asano
Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating
通过衬底加热改善 4H-SiC 激光 Al 掺杂的掺杂性能
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [堀匡寛,小野行徳, A. Ikeda]
通讯作者： A. Ikeda
Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source
使用铝薄膜掺杂剂源进行激光掺杂，形成 p 型 4H-SiC 的低电阻触点
DOI： 10.7567/1347-4065/ab12c3
发表时间： 2019
期刊： Japanese Journal of Appied Physics
影响因子： --
作者： [K. Okamoto, T. Kikuchi, A. Ikeda, H. Ikenoue, T. Asano]
通讯作者： T. Asano
共 9 条
    Schumann Resonance for monitoring of ionosphere
    • 批准号：
      19K03956
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Ikeda Akihiro
    • 依托单位：
      Kagoshima National College of Technology
    Investigation on mechanism of wet chemical laser doping of 4H-SiC by optical emission spectroscopy
    • 批准号：
      26420309
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.24万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Ikeda Akihiro
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Magnetosphere-ionosphere-Earth coupling based on magnetic pulsations
    • 批准号：
      25800277
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Ikeda Akihiro
    • 依托单位：
      Kagoshima National College of Technology
    国内基金
    海外基金
    基于c轴取向4H-SiC/等离激元TiNx异质结的高温光电神经突触器件研究
    • 批准号：
      52502177
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      刘晓
    • 依托单位：
      杭州电子科技大学
    Al离子注入/高温退火致4H-SiC晶体应力场对基面位错演化的影响机制及其与器件特性的相关性
    • 批准号：
      62401157
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      左元慧
    • 依托单位：
      复旦大学宁波研究院
    基于无损检测技术的8英寸4H-SiC位错缺陷检测及调控技术研究
    • 批准号：
      62404209
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      高慧
    • 依托单位：
      中北大学
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号：
      2024JJ5044
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吴丽娟
    • 依托单位：
      长沙理工大学