Room-temperature bonding of compound semiconductors and its application to high heat dissipation structure
Room-temperature bonding of compound semiconductors and its application to high heat dissipation structure
化合物半导体室温键合及其在高散热结构中的应用
批准号：
25289085
负责人：
Higurashi Eiji
金额：
$10.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Room-temperature wafer bonding using Al/Ti/Au layers for integrated reflectors in the ultraviolet spectral region
使用 Al/Ti/Au 层进行室温晶圆键合，用于紫外光谱区域的集成反射器
使用 Al/Ti/Au 层进行室温晶圆键合，用于紫外光谱区域的集成反射器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
The 66th Electronic Components and Technology Conference (ECTC 2016)
影响因子：
--
作者：
[Eiji Higurashi, Yutaka Kunimune, and Tadatomo Suga]
通讯作者：
and Tadatomo Suga
The Influence of Air Exposure Time on Bonding Strength in Au-Au Surface Activated Wafer Bonding
Au-Au表面活化晶片键合中空气暴露时间对键合强度的影响
Au-Au表面活化晶片键合中空气暴露时间对键合强度的影响
DOI：
10.1109/icep-iaac.2015.7111055
发表时间：
2015
期刊：
2015 International Conference on Electronics Packaging & iMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC 2015)
影响因子：
--
作者：
[Ken Okumura, Eiji Higurashi, Tadatomo Suga, Kei Hagiwara]
通讯作者：
Kei Hagiwara
高放熱デバイス応用をめざした常温ウェハ接合
适用于高散热器件应用的室温晶圆键合
适用于高散热器件应用的室温晶圆键合
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
第29回エレクトロニクス実装学会春季講演大会講演論文集
影响因子：
--
作者：
[日暮栄治, 奥村拳, 須賀唯知]
通讯作者：
須賀唯知
DOI：
10.1587/transele.e99.c.339
发表时间：
2016-03-01
期刊：
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
影响因子：
0.5
作者：
[Higurashi, Eiji, Yamamoto, Michitaka, Sawada, Renshi]
通讯作者：
Sawada, Renshi
高出力半導体レーザの高放熱構造をめざしたGaAs/SiC常温接合に関する研究
高功率半导体激光器高散热结构GaAs/SiC室温键合研究
高功率半导体激光器高散热结构GaAs/SiC室温键合研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム（電気学会 センサ・マイクロマシン部門主催）
影响因子：
--
作者：
[日暮栄治, 中筋香織, 須賀唯知]
通讯作者：
須賀唯知
共 27 条
Controlling the indium oxide surface by hydrogen radical treatment and its applications
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批准号：16K06741
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2016
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负责人：Higurashi Eiji
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依托单位：
海外基金