Room-temperature bonding of compound semiconductors and its application to high heat dissipation structure

化合物半导体室温键合及其在高散热结构中的应用

• 批准号: 25289085
• 负责人: Higurashi Eiji
• 金额: $ 10.98万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289085/
• 关键词: 常温接合; 低温接合; 直接接合; 中間層接合; 異種材料集積; 高出力半導体レーザ; 熱抵抗; 金薄膜; 高放熱構造; 高出力光素子; 半導体レーザ

项目成果

Room-temperature wafer bonding using Al/Ti/Au layers for integrated reflectors in the ultraviolet spectral region

使用 Al/Ti/Au 层进行室温晶圆键合，用于紫外光谱区域的集成反射器

• 发表时间: 2016
• 期刊: The 66th Electronic Components and Technology Conference (ECTC 2016)
• 作者: Eiji Higurashi;Yutaka Kunimune;and Tadatomo Suga
• 通讯作者: and Tadatomo Suga

The Influence of Air Exposure Time on Bonding Strength in Au-Au Surface Activated Wafer Bonding

Au-Au表面活化晶片键合中空气暴露时间对键合强度的影响

• DOI: 10.1109/icep-iaac.2015.7111055
• 发表时间: 2015
• 期刊: 2015 International Conference on Electronics Packaging & iMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC 2015)
• 作者: Ken Okumura;Eiji Higurashi;Tadatomo Suga;Kei Hagiwara
• 通讯作者: Kei Hagiwara

高放熱デバイス応用をめざした常温ウェハ接合

适用于高散热器件应用的室温晶圆键合

• 发表时间: 2015
• 期刊: 第29回エレクトロニクス実装学会春季講演大会講演論文集
• 作者: 日暮栄治;奥村拳;須賀唯知
• 通讯作者: 須賀唯知

Room-Temperature Gold-Gold Bonding Method Based on Argon and Hydrogen Gas Mixture Atmospheric-Pressure Plasma Treatment for Optoelectronic Device Integration

• DOI: 10.1587/transele.e99.c.339
• 发表时间: 2016-03-01
• 期刊: IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
• 影响因子: 0.5
• 作者: Higurashi, Eiji;Yamamoto, Michitaka;Sawada, Renshi
• 通讯作者: Sawada, Renshi

高出力半導体レーザの高放熱構造をめざしたGaAs/SiC常温接合に関する研究

高功率半导体激光器高散热结构GaAs/SiC室温键合研究

• 发表时间: 2014
• 期刊: 第30回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム（電気学会 センサ・マイクロマシン部門主催）
• 作者: 日暮栄治;中筋香織;須賀唯知
• 通讯作者: 須賀唯知