タングステン－ゲルマニウム間に多重結合を持つ錯体の反応化学

平成26年度は，ヒドリド(ヒドロゲルミレン)タングステン錯体と2電子供与体との反応およびタングステンゲルミリン錯体合成研究から得られた知見を，より合成が困難な金属－ケイ素三重結合を持つ錯体の合成へと応用することを試みた。1.N-ヘテロ環式カルベンとの反応金属－ゲルマニウム二重結合を持つゲルミレン錯体と1当量の1,3,4,5-テトラメチルイミダゾール-2-イリデン(MeIMe)とを反応させると，瞬時にカルベンが塩基としてゲルマニウムに配位し，塩基安定化ゲルミレン錯体が定量的に生成した。さらに，生成した塩基安定化ゲルミレン錯体は，室温下で中間体としてアニオン性ゲルミレン錯体とイミダゾリウムカチオン[HMeIMe]+とを経て，最終的に，ゲルミリン錯体を中程度の収率(～70%)で与えることを見出した。この反応では，用いたカルベン(MeIMe)のカルベン炭素が水素化されたと考えられるH2MeIMeも観測されており，段階的な脱水素化反応によって金属－ゲルマニウム二重結合から三重結合へと変換する反応として注目される。2.タングステン－ケイ素三重結合錯体合成への応用上記のゲルミレン錯体のNHCカルベンによるゲルミリン錯体への誘導を参考にして，シリリン錯体の合成を試みた。ヒドリド(ヒドロシリレン)錯体に対して1当量のMeIiPrを反応させると，ゲルミレン錯体の場合と同様に金属上からの脱プロトン化反応が進行し，アニオン性シリレン錯体が高収率で生成した(単離収率80%以上)。アニオン性シリレン錯体は加熱をしてもシリリン錯体に変換されなかったが，ルイス塩基であるB(C6F5)3を作用させるとSi上からHがヒドリドとして引き抜かれ，目的とするシリリン錯体が生成することを見出すとともに，低収率ではあるが単離にも成功した。従来のシリリン錯体は，Si上の置換基がアリールのものに限られており，今回，合成に成功したシリリン錯体はSi上の置換基がアルキル基(-C(SiMe3)3)である初めての例となる。

平成26年度は，ヒドリド(ヒドロゲルミレン)タングステン錯体と2電子供与体との反応およびタングステンゲルミリン錯体合成研究から得られた知見を，より合成が困難な金属－ケイ素三重結合を持つ錯体の合成へと応用することを試みた。1.N-ヘテロ環式カルベンとの反応金属－ゲルマニウム二重結合を持つゲルミレン錯体と1当量の1,3,4,5-テトラメチルイミダゾール-2-イリデン(MeIMe)とを反応させると，瞬時にカルベンが塩基としてゲルマニウムに配位し，塩基安定化ゲルミレン錯体が定量的に生成した。さらに，生成した塩基安定化ゲルミレン錯体は，室温下で中間体としてアニオン性ゲルミレン錯体とイミダゾリウムカチオン[HMeIMe]+とを経て，最終的に，ゲルミリン錯体を中程度の収率(～70%)で与えることを見出した。この反応では，用いたカルベン(MeIMe)のカルベン炭素が水素化されたと考えられるH2MeIMeも観測されており，段階的な脱水素化反応によって金属－ゲルマニウム二重結合から三重結合へと変換する反応として注目される。2.タングステン－ケイ素三重結合錯体合成への応用上記のゲルミレン錯体のNHCカルベンによるゲルミリン錯体への誘導を参考にして，シリリン錯体の合成を試みた。ヒドリド(ヒドロシリレン)錯体に対して1当量のMeIiPrを反応させると，ゲルミレン錯体の場合と同様に金属上からの脱プロトン化反応が進行し，アニオン性シリレン錯体が高収率で生成した(単離収率80%以上)。アニオン性シリレン錯体は加熱をしてもシリリン錯体に変換されなかったが，ルイス塩基であるB(C6F5)3を作用させるとSi上からHがヒドリドとして引き抜かれ，目的とするシリリン錯体が生成することを見出すとともに，低収率ではあるが単離にも成功した。従来のシリリン錯体は，Si上の置換基がアリールのものに限られており，今回，合成に成功したシリリン錯体はSi上の置換基がアルキル基(-C(SiMe3)3)である初めての例となる。