AMORPHOUS CHALCOGENIDE-BASED OPTOELECTRONIC PLATFORM FOR NEXT-GENERATION OPTOELECTRONIC TECHNOLOGIES

用于下一代光电技术的非晶硫族化物光电平台

• 批准号: EP/I019065/1
• 负责人: Dan Hewak
• 金额: $ 41.28万
• 依托单位: University of Southampton
• 依托单位国家: 英国
• 项目类别: Research Grant
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 英国
• 起止时间: 2011 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FI019065%2F1
• 关键词: AMORPHOUS; CHALCOGENIDE; BASED; OPTOELECTRONIC; PLATFORM

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

The promise of chalcogenides

• DOI: 10.1038/nphoton.2011.155
• 发表时间: 2011-08
• 期刊: Nature Photonics
• 影响因子: 35
• 作者: N. Anscombe;D. Hewak

Deposition of elements for a thermoelectric generator via laser-induced forward transfer

通过激光诱导前向转移沉积热电发电机的元件

• 发表时间: 2012
• 作者: Feinaeugle, M

Effect of copper content and sulfurization process on optical, structural and electrical properties of ultrasonic spray pyrolysed Cu2ZnSnS4 thin films

• DOI: 10.1016/j.matchemphys.2015.11.035
• 发表时间: 2016-02-01
• 期刊: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
• 影响因子: 4.6
• 作者: Kermadi, S.;Sali, S.;Duta, Anca
• 通讯作者: Duta, Anca

Electrical properties of Bi-implanted amorphous chalcogenide films

双注入非晶硫属化物薄膜的电性能

• DOI: 10.1016/j.tsf.2015.05.036
• 发表时间: 2015
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: Fedorenko Y

Ion-implantation-enhanced chalcogenide-glass resistive-switching devices

离子注入增强硫族化物玻璃电阻开关器件

• DOI: 10.1063/1.4894245
• 发表时间: 2014
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Hughes M